EMB50P03J 时间：2025/6/27 11:30:00 阅读：8

EMB50P03J 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、电机驱动和开关电路等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
　　EMB50P03J 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计旨在提供高效的功率转换和更低的功耗，适用于需要高频和高效工作的场景。

参数

型号：EMB50P03J
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　连续漏极电流(Id)：50A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V~4V
　　导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　总栅极电荷(Qg)：39nC
　　输入电容(Ciss)：2880pF
　　输出电容(Coss)：320pF
　　反向传输电容(Crss)：85pF
　　工作温度范围：-55℃~175℃

特性

EMB50P03J 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗，提升效率。
　　2. 高电流承载能力 (Id)，能够满足大功率应用场景的需求。
　　3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，使其适合高频操作。
　　4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 紧凑的封装设计，节省电路板空间，便于布局和散热管理。
　　6. 优异的电气性能和可靠性，确保在严苛环境下长期稳定工作。
　　这款 MOSFET 的设计综合考虑了效率、可靠性和成本，是众多工业及消费类电子产品的理想选择。

应用

EMB50P03J 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动和控制电路，包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
　　3. 电池管理系统 (BMS)，用于保护和控制电池充放电过程。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
　　5. 汽车电子系统，例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
　　6. 其他需要高效功率转换和低损耗开关的应用场景。
　　凭借其出色的性能，EMB50P03J 成为许多工程师在设计高效能功率转换电路时的首选元件。