EMB2 时间：2025/12/25 12:17:42 阅读：12

EMB2 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压栅极驱动器IC，专为驱动高侧和低侧N沟道MOSFET或IGBT而设计。该器件采用先进的BCD工艺制造，具备高集成度、高可靠性和出色的抗噪声能力，广泛应用于电机控制、电源转换和工业驱动系统中。EMB2内部集成了一个浮动通道，支持高达600V的自举电压工作模式，使其能够直接用于半桥拓扑结构中的高端开关驱动。其输入逻辑兼容标准CMOS和TTL电平，简化了与微控制器或其他数字控制电路的接口连接。此外，EMB2还内置了多项保护功能，如欠压锁定（UVLO）、交叉导通防止逻辑以及高dv/dt抗扰能力，确保在恶劣电磁环境下仍能稳定运行。该芯片通常采用DIP8或SO8等小型封装形式，便于在紧凑型电路板上布局，并具备良好的散热性能。由于其高度集成化的设计，EMB2可以显著减少外围元件数量，提高系统整体的可靠性并降低生产成本。

参数

类型：高压栅极驱动器
　　通道类型：半桥驱动器
　　输出配置：高低边
　　供电电压（VDD）：10V ~ 20V
　　逻辑电源电压（VSS）：0V ~ VDD
　　浮动电压（VS to COM）：-5V ~ 600V
　　峰值输出电流：±200mA
　　传播延迟：典型值500ns
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：DIP8, SO8

特性

EMB2的核心特性之一是其高压浮动通道技术，允许高端MOSFET在高达600V的母线电压下正常工作。该技术通过自举电路实现，当低端导通时，外部电容通过二极管充电至VDD电压；当高端需要导通时，该电容作为高端驱动器的独立电源，从而实现对高侧开关的有效驱动。这种设计无需额外的隔离电源，大大简化了电源架构。
　　另一个关键特性是其强大的抗干扰能力。EMB2具备高dv/dt耐受性，即使在快速电压瞬变的环境中（例如在高频开关应用中），也能防止误触发或误导通。这得益于内部优化的电平移位电路和匹配的信号路径延迟，确保上下桥臂之间的精确同步，避免直通电流的发生。
　　EMB2还集成了完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，分别监控高端和低端部分的供电电压。一旦检测到电源电压低于设定阈值，输出将被强制关闭，直到电压恢复到安全水平，以防止因驱动不足导致的功率器件损坏。此外，输入端具有施密特触发器功能，增强了对噪声信号的抑制能力，提高了系统的稳定性。
　　该芯片的输入逻辑为非反相和反相可选配置（具体取决于型号后缀），支持灵活的控制方式。例如，IN引脚接收PWM信号时，HO引脚会相应地生成高侧驱动信号，LO则控制低侧。内部设有互锁时间（dead-time）控制逻辑，防止上下管同时导通，进一步提升了系统安全性。

应用

EMB2广泛应用于各类电力电子变换系统中，尤其适用于交流电机驱动、无刷直流电机（BLDC）控制器、开关模式电源（SMPS）、逆变器和UPS不间断电源等场合。在家电领域，它常用于空调压缩机驱动、洗衣机电机控制模块中，提供高效可靠的功率开关控制。在工业自动化中，EMB2被用于伺服驱动器、变频器和数字电源模块，支持高效率的能量转换与精确的动态响应。此外，在新能源应用如太阳能逆变器和电动汽车车载充电器（OBC）中，EMB2也发挥着重要作用，因其能够在高温、高电压环境下长期稳定运行。由于其紧凑的封装和高集成度，特别适合空间受限但要求高性能的嵌入式控制系统。