EMB12P03G 时间：2025/6/29 0:13:21 阅读：7

EMB12P03G 是一款高效能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，专为开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间实现了良好的平衡，从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
　　EMB12P03G 具有较低的栅极电荷和输出电容，这使得其在高频工作条件下表现出色。此外，它还具备优异的热稳定性和可靠性，使其能够在严苛的工作环境中长时间运行。

参数

型号：EMB12P03G
　　类型：N-Channel MOSFET
　　漏源极击穿电压(Vdss)：30V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：25nC
　　总栅极电荷(Qg_total)：40nC
　　输入电容(Ciss)：1800pF
　　输出电容(Coss)：270pF
　　反向传输电容(Crss)：150pF
　　最大工作结温(Tj_max)：175°C
　　封装形式：TO-263

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 2.5mΩ，有助于减少导通损耗。
　　2. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和输出电容。
　　3. 高额定电流能力，最大连续漏极电流可达 12A。
　　4. 出色的热稳定性，能够在高达 175°C 的结温下可靠工作。
　　5. 小型化封装 TO-263 提供了高功率密度和易于安装的特点。
　　6. 它具有良好的静电防护能力和抗雪崩能力，适合多种应用场景。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。

应用

EMB12P03G 广泛应用于各种需要高性能功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的主
　　2. DC-DC 转换器中用于高效能量传递。
　　3. 电机驱动电路中作为功率级器件控制电机速度与方向。
　　4. 各种负载开关和保护电路，例如电池管理系统(BMS)中的电子保险丝功能。
　　5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理单元。