EMB12N10H 时间：2025/8/13 22:24:01 阅读：21

EMB12N10H 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件具有较高的耐压能力、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、开关电源（SMPS）以及电池管理系统等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.32Ω @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

EMB12N10H 具备多项优异的电气与热性能，适合高效率功率转换应用。其最大漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用场景。该器件的栅源电压允许达到±20V，增强了在不同驱动条件下的稳定性和适应性。在导通状态下，EMB12N10H 的最大导通电阻为0.32Ω，在Vgs=10V时能实现较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。
　　此外，EMB12N10H 采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定运行。其最大功耗为30W，支持在较宽的温度范围内（-55°C至+150°C）工作，适应工业级和汽车级应用的需求。该器件还具备较强的短路耐受能力和抗过热能力，有助于提升系统的可靠性和寿命。
　　EMB12N10H 的设计优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，特别适合用于高频开关电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的负担，提高系统的响应速度和效率。此外，该MOSFET在导通状态下的压降较小，有助于减少功率损耗和发热，从而提高整体系统的稳定性。
　　综上所述，EMB12N10H 是一款性能稳定、可靠性高的N沟道功率MOSFET，适用于多种功率电子系统，能够在高电压、高电流环境下保持良好的运行表现。

应用

EMB12N10H 主要用于需要高电压和中等电流能力的功率电子系统。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、电源适配器、工业控制设备以及汽车电子系统等。由于其良好的导通特性和热稳定性，EMB12N10H 也常用于需要长时间连续运行的高可靠性设备中。