类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：850mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 100V
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级
　　符合标准：RoHS、无卤素

EMB10T2R的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结而非传统的PN结构实现整流功能，从而显著降低了正向导通压降。在1A的工作电流下，其典型正向电压仅为850mV，这意味着在功率转换过程中能量损耗更小，效率更高，尤其适用于电池供电或对能效要求较高的系统。低VF不仅减少了I2R损耗，还有助于降低整体温升，提高系统的长期稳定性。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其开关速度极快，反向恢复时间小于4纳秒，几乎可以忽略不计。这一特性使得EMB10T2R非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流替代方案以及防止反接保护等需要快速响应的应用场景。
　　另一个关键优势在于其紧凑的SOD-123FL封装，该封装比标准SOD-123更加纤薄且占板面积小，非常适合空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及模块化电源组件。尽管体积微小，但该封装仍具备良好的散热能力，能够在环境温度较高时有效传导热量，确保器件在额定负载下的安全运行。此外，EMB10T2R具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力，能够应对瞬态过流事件，例如开机冲击电流或负载突变，提升了系统鲁棒性。器件的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，适应各种严苛工业与消费类环境。所有电气参数均经过严格测试并保证在规定范围内，同时产品符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品的环保法规要求，便于全球市场准入。

EMB10T2R因其高效、小型化和高可靠性的特点，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理，例如作为电池充电回路中的防反接二极管或负载切换元件；在DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管使用，利用其快速响应和低导通损耗提升转换效率；也可用于隔离不同电源域之间的电流倒灌，保障多电源系统的稳定运行。此外，在适配器、USB供电设备、物联网终端节点以及智能家居控制模块中，EMB10T2R常用于提供高效的整流与保护功能。工业领域中，它可用于PLC输入接口、传感器供电调理电路以及低功耗嵌入式控制器中实现电源整流与极性保护。由于其优异的高频性能，也适合用于高频逆变器、LED驱动电源和待机电源辅助绕组整流等场合。总体而言，凡是需要小型化、高效率和快速开关响应的低压直流整流应用，EMB10T2R都是一个理想选择。

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　　 "BAT54C",
　　 "RB520S30",
　　 "SS14",
　　 "SBM1040LT1G",
　　 "MBR120"
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