时间：2025/12/23 11:27:21
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EMB06N03G是一款增强型N沟道MOSFET功率晶体管，采用PDFN33-8封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点，非常适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
该器件在设计上采用了先进的半导体制造工艺，确保了其在高频开关应用中的卓越性能。同时，它还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在各种严苛的工作环境下保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：1550pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适用于高频开关电路，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用。
4. PDFN33-8小型封装，节省PCB空间，便于实现紧凑型设计。
5. 良好的热性能，确保在高温环境下仍能稳定工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关或同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业控制设备中的功率调节与切换元件。
6. 汽车电子系统中的负载控制和电源管理部件。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500
AO3400
