EMB04N03H 时间：2025/9/13 18:34:28 阅读：11

EMB04N03H 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具备较低的导通电阻和较高的开关效率，适合在高频率和高效率要求的电路中使用。EMB04N03H 通常封装在小型化的表面贴装封装（如SOP或DFN）中，适用于空间受限的设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

EMB04N03H 具备多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达4A，适用于中等功率的开关应用。
　　此外，EMB04N03H 采用先进的封装技术，具有良好的热性能，能够在较高温度环境下稳定运行。其±20V的栅源电压能力提高了抗干扰能力，减少了误触发的风险，增强了系统的稳定性。
　　该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。同时，其小型化封装设计节省了PCB空间，便于在紧凑型电子产品中使用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
　　EMB04N03H 的设计符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色环保的电子产品制造。

应用

EMB04N03H 主要应用于各类功率电子设备中，特别是在需要高效能和小型化设计的场合。常见的应用包括：同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、LED照明驱动电路、便携式电子设备的电源管理模块等。
　　在同步整流器中，EMB04N03H 作为主开关器件，可有效降低导通损耗，提高转换效率。在电池管理系统中，该MOSFET可用于控制电池的充放电路径，确保电池工作的安全性和可靠性。
　　由于其快速开关特性和低导通电阻，EMB04N03H 也广泛应用于高性能电源管理模块中，如电源适配器、移动电源和智能穿戴设备的充电电路。此外，在LED照明系统中，该器件可用于调光控制和电流调节，实现高效的照明控制方案。