类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3.0A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约30mΩ（在Vgs=10V时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V~2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23、DFN等

EMB03N03C具备多项优良特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率，这在电池供电设备和高效率电源系统中尤为重要。其次，该器件具有较高的电流承载能力，在小型封装中实现较高的功率密度，适合用于紧凑型电源设计。
　　此外，EMB03N03C采用了先进的沟槽式栅极结构，使得开关速度更快，从而减少了开关损耗，提高了动态响应能力。这一特性在高频开关应用（如DC-DC转换器和同步整流器）中尤为关键。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其宽泛的工作温度范围允许其在恶劣环境下工作，如工业控制设备和汽车电子系统。同时，EMB03N03C的栅极驱动电压范围较宽，通常可在2.5V至10V之间工作，支持逻辑电平驱动，适合与多种控制IC直接连接，无需额外的电平转换电路。
　　最后，EMB03N03C在制造过程中通常采用环保材料，符合RoHS标准，适用于绿色电子产品的设计和制造。

EMB03N03C广泛应用于多个电子领域，特别是在需要高效率、小体积和快速开关性能的场合。其典型应用包括便携式电子设备的电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、负载开关电路、LED驱动器、马达驱动电路、电池充电管理电路以及各种低电压功率开关应用。
　　在消费类电子产品中，EMB03N03C常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理系统中，作为高效率的开关元件。在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器接口和小型电机控制电路。
　　由于其优异的开关特性和低导通电阻，EMB03N03C也常被用于同步整流器中，以提升电源转换效率。此外，在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车载充电器、车灯控制模块以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。

Si2302DS
　　FDN304P
　　NDS351AN