制造商：Etron Technology
　　产品系列：LPDDR3 SDRAM
　　存储容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：64M x 16位
　　工作电压：1.7V ~ 1.95V（核心与I/O）
　　输入/输出标准：LPDDR3
　　最大时钟频率：800MHz
　　数据速率：1600Mbps（双倍数据率）
　　封装类型：BGA-96
　　封装尺寸：9mm x 12mm 或类似
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：自动/自刷新模式
　　 Burst Length：8
　　突发模式：Toggles between READ and WRITE bursts
　　CAS延迟（CL）：CL=11, CL=10, CL=9 可配置
　　接口类型：并行同步
　　是否为无铅：是
　　是否符合RoHS：是

EM6M1GT2R具备多项先进特性，使其成为低功耗高带宽应用场景中的理想选择。
　　首先，该芯片采用低压差分信号技术（LVDS）与优化的内部预取架构（8n-Prefetch），实现了在1.8V标称电压下的高速数据传输，最高可达1600Mbps的数据速率，显著提升了系统整体响应速度和多任务处理能力。其内部存储阵列为64M x 16位结构，总容量达1Gb，适合中高端嵌入式系统的内存需求。
　　其次，该器件支持多种节能模式，包括自动刷新、自刷新（Self-Refresh）、预充电自刷新（Precharge Power-down）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）。这些模式允许系统在待机或轻负载状态下大幅降低功耗，尤其适用于依靠电池供电的移动设备。
　　再者，EM6M1GT2R具备出色的时序控制机制，支持可编程CAS延迟（CL9/CL10/CL11）、写入延迟（CWL）和突发长度（BL=8），增强了与不同主控处理器的兼容性。其内部集成了温度传感器与动态电压调节接口，可根据环境温度调整刷新率，避免高温导致的数据丢失，同时减少不必要的能耗。
　　此外，该芯片具有良好的电气特性，如低输入电容、高噪声抑制能力和精确的阻抗匹配设计，有助于提高信号完整性和系统稳定性。BGA-96封装不仅节省空间，还通过均匀分布的电源与地引脚降低了电磁干扰（EMI）。
　　最后，EM6M1GT2R遵循JEDEC JESD209-3标准，保证了与其他LPDDR3组件的互操作性，并支持ZQ校准功能，可在长时间运行后自动调整输出驱动强度和终端电阻，维持最佳信号质量。这些综合特性使得该芯片在复杂工况下依然表现出色，具备高可靠性和长生命周期。

EM6M1GT2R广泛应用于各类对性能与功耗有较高要求的电子设备中。
　　在移动通信领域，它常见于智能手机和平板电脑中，作为应用处理器的外部缓存或主内存使用，支持流畅的多任务切换、高清视频播放和大型应用程序运行。
　　在消费电子方面，该芯片可用于智能电视、数字机顶盒、游戏终端和多媒体播放器，提供足够的带宽来处理4K解码、图形渲染和网络流媒体任务。
　　在网络与通信设备中，EM6M1GT2R被用于路由器、交换机、IP摄像头和家庭网关等产品，支撑实时数据包处理、视频编码缓冲和操作系统运行所需的内存资源。
　　在工业控制与嵌入式系统中，该芯片适用于HMI人机界面、工业计算机、POS终端和医疗监控设备，满足长时间稳定运行和宽温工作的需求。
　　此外，随着车联网的发展，EM6M1GT2R也逐渐应用于车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）模块中，为导航、语音识别和图像处理提供可靠的内存支持。
　　由于其符合RoHS和无卤素标准，该器件还可用于对环保要求严格的出口型电子产品。开发人员在设计时需注意电源去耦、阻抗匹配和热管理，以充分发挥其性能潜力。

EM6A160T2PS-1G6
　　EM6GD16U3BHR-1G6
　　MT41K128M16JT-15E:G
　　K4B2G1646F-BCMA