EM6K7T2CR 时间：2025/12/25 13:50:44 阅读：12

EM6K7T2CR 是一款由Elpida（尔必达，现属Micron Technology）生产的DDR3 SDRAM内存芯片。该型号属于高密度、低功耗的移动DDR3L（Low Voltage DDR3）类别，广泛应用于笔记本电脑、超极本、嵌入式系统以及需要高性能内存支持的消费类电子产品中。EM6K7T2CR采用FBGA封装技术，具备较高的数据传输速率和稳定性，适用于对能效比有较高要求的应用场景。该芯片工作电压为1.35V，相较于标准1.5V的DDR3内存，能够有效降低功耗，延长移动设备的电池续航时间。其存储容量为4Gb（512MB），组织结构为8 banks x 64M word x 8 bit，支持x8 I/O配置，适合多通道内存架构设计。EM6K7T2CR遵循JEDEC标准规范，兼容主流内存控制器，并具备良好的信号完整性和抗干扰能力，在工业级温度范围内稳定运行。

参数

品牌：Elpida (现 Micron)
　　类型：DDR3L SDRAM
　　容量：4 Gb
　　数据宽度：8 bit
　　组织结构：64M x 8 x 8 banks
　　电压：1.35V ±0.1V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96 ball
　　存取时间：≤ 13.5 ns
　　时钟频率：最高800 MHz (DDR3-1600)
　　刷新周期：64ms / 8192 rows
　　CAS 延迟：CL11, CL10, CL9 可选

特性

EM6K7T2CR 具备多项先进的内存技术特性，以满足现代电子设备对高速、低功耗和高可靠性的需求。
　　首先，该芯片采用了DDR3L（低电压双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器）架构，工作电压仅为1.35V，相比传统1.5V DDR3内存可节省约20%的功耗，显著提升终端设备的能效表现，特别适用于移动计算平台如轻薄型笔记本、平板电脑及便携式工业控制设备。其内部采用8个独立的Banks设计，每个Bank具有64M字的存储空间，支持交错式访问机制，从而提高并发处理能力和整体带宽利用率。
　　其次，EM6K7T2CR 支持多种CAS延迟（CL9/CL10/CL11）配置，允许系统根据性能与稳定性需求进行灵活调整。在最高频率下可实现DDR3-1600的数据传输速率，理论带宽达到12.8 GB/s，足以应对大多数中高端应用的数据吞吐需求。
　　此外，该器件具备自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）和深度掉电模式等节能功能，可在待机或低负载状态下大幅降低动态与静态功耗。内置温度传感器和热敏二极管监测功能，支持动态电压频率调节（DVFS），进一步优化系统能效。
　　从可靠性角度看，EM6K7T2CR 符合RoHS环保标准，采用无铅FBGA封装，具备优异的散热性能和机械强度，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适用于工业自动化、车载电子和户外通信设备等严苛环境。其信号完整性经过优化设计，支持差分时钟输入、ZQ校准和ODT（片上终端电阻），有效减少反射和串扰，确保高速信号传输的稳定性。
　　最后，该芯片兼容JEDEC JESD79-3标准，便于集成到现有平台中，且与主流SoC和北桥芯片组具有良好的互操作性，降低了系统开发难度和认证成本。

应用

EM6K7T2CR 主要应用于需要高性能、低功耗内存解决方案的各种电子系统中。
　　在消费电子领域，它被广泛用于超极本、轻薄笔记本电脑和平板电脑中，作为主内存组件，提供足够的带宽支持操作系统流畅运行和多任务处理，同时通过1.35V低电压设计延长电池续航时间。
　　在嵌入式系统方面，该芯片常见于工业控制主板、POS终端、数字标牌和智能家电中，凭借其高可靠性和宽温工作能力，适应长时间连续运行的需求。
　　通信设备如路由器、交换机和网络附加存储（NAS）设备也常采用此类内存颗粒，用于缓存数据包和提升系统响应速度。
　　此外，在汽车电子系统中，EM6K7T2CR可用于信息娱乐主机、车载导航系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）模块，满足车规级环境下的稳定性要求。
　　由于其标准化接口和成熟的技术生态，该芯片也被用于多种工控模块、医疗仪器和测试测量设备中，作为核心内存单元支撑实时数据采集与处理任务。