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EM6K6T2R 发布时间 时间:2025/5/13 13:37:27 查看 阅读:2

EM6K6T2R是一款高性能的射频收发芯片,广泛应用于无线通信领域。该芯片支持多种调制方式,并具有高集成度和低功耗的特点,适用于物联网设备、无线传感器网络以及远程监控系统等场景。
  该芯片内置了功率放大器、低噪声放大器、混频器、滤波器及控制逻辑电路,能够显著简化外部电路设计并降低整体系统成本。

参数

工作频率范围:470MHz-510MHz
  供电电压:1.8V-3.6V
  接收灵敏度:-110dBm
  输出功率:+20dBm
  调制方式:FSK/GFSK/MSK/OOK
  接口类型:SPI/I2C
  封装形式:QFN32
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

EM6K6T2R采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的射频性能和稳定性。其主要特性包括:
  1. 高线性度和低相位噪声的振荡器设计,确保信号传输质量。
  2. 内置可编程增益放大器,灵活适应不同应用场景。
  3. 支持多信道配置,便于构建复杂的通信网络。
  4. 低功耗待机模式,延长电池使用寿命。
  5. 集成数字信号处理单元,减少对外部微控制器的依赖。
  6. 提供全面的保护机制,如过温、过流和静电防护功能。

应用

这款芯片适合用在各类短距离无线通信设备中,具体应用包括:
  1. 智能家居控制系统,例如灯光开关、窗帘控制等。
  2. 工业自动化设备中的无线数据采集与传输模块。
  3. 医疗健康监测装置,如心率带、血压计等。
  4. 车载电子系统,用于胎压监测或倒车雷达等功能。
  5. 环境监测仪器,如温湿度传感器节点或空气质量检测仪。

替代型号

EM6K6T1R, EM6K6T3R

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EM6K6T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 300mA,4V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds25pF @ 10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EM6K6T2RTR