类型：DDR3 SDRAM
　　密度：4Gb（512M x 8）
　　工作电压：1.5V ± 0.075V
　　数据速率：最高支持800Mbps（DDR3-1600）
　　组织结构：512M x 8位架构
　　刷新周期：64ms内完成8192次刷新操作
　　工作温度范围：0°C 至 85°C（商用级）
　　封装类型：BGA（具体球阵排列依据版本可能略有差异）
　　输入/输出逻辑：SSTL_15
　　突发长度：支持BL8和BC4模式
　　突发类型：顺序或交错可选
　　时钟频率：最高可达800MHz（数据速率1600MT/s）
　　访问时间：典型值约13.75ns（CL=11时）
　　CAS延迟（CL）：支持CL9、CL10、CL11可配置

EM6K34T2CR作为一款DDR3 SDRAM芯片，具备多项关键特性以确保其在复杂应用环境下的稳定性和高效性。首先，该芯片采用了双倍数据速率（DDR）架构，能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，显著提升了数据带宽。其核心频率为400MHz时，即可实现800MT/s的数据传输速率，配合多bank架构设计，允许多个行地址在不同bank间交替访问，从而减少等待时间，提高整体内存效率。芯片内部集成了8个独立的bank，每个bank可单独激活、读取、写入或预充电，这种并行处理能力极大增强了内存控制器调度的灵活性。
　　其次，EM6K34T2CR支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-Refresh）两种模式。自动刷新由外部控制器定时触发，适用于正常工作状态；而自刷新模式则可在系统进入低功耗待机时启用，此时芯片自行管理刷新操作，大幅降低功耗，特别适合移动设备或节能型系统使用。此外，该器件遵循JEDEC标准定义的电源管理协议，包括DLL（延迟锁定环）使能/禁用控制，进一步优化能耗表现。
　　再者，EM6K34T2CR具备良好的信号完整性和抗干扰能力。其采用SSTL_15（Stub Series Terminated Logic）接口标准，提供精确的电压摆幅和阻抗匹配特性，有效减少信号反射和串扰，确保高速数据传输的可靠性。芯片还支持可编程CAS延迟（CL）、tRCD、tRP等多种时序参数，允许系统根据实际需求调整性能与稳定性之间的平衡。
　　最后，该芯片通过严格的工业级测试，具备较强的环境适应性。其工作温度范围覆盖0°C至85°C，可在较宽的温区内保持数据完整性。封装采用小型化BGA结构，不仅节省PCB空间，而且热传导性能优越，有助于长期稳定运行。综上所述，EM6K34T2CR凭借其高带宽、低延迟、灵活配置和可靠性的综合优势，成为当时主流内存解决方案的重要组成部分。

EM6K34T2CR主要应用于各类需要大容量、高速度内存支持的电子产品中。常见用途包括台式机与笔记本电脑中的DDR3内存条组装，尤其适用于早期至中期的DDR3平台，如Intel Core i系列处理器搭配的5系列、6系列芯片组主板。此外，它也被广泛用于服务器内存模块，支持多通道内存架构以提升系统吞吐能力，满足数据中心对高并发数据处理的需求。
　　在嵌入式系统领域，该芯片可用于工业控制设备、网络路由器、交换机、数字视频录像机（DVR）及智能电视等产品中，为其提供稳定的运行内存支持。由于其具备良好的温度适应性和长期运行稳定性，也适合部署于户外通信基站或轨道交通控制系统等严苛环境中。
　　另外，在内存模组制造商进行颗粒级筛选与配对时，EM6K34T2CR常被用作构建UDIMM（无缓冲双列直插内存模块）、SODIMM（小型双列直插内存模块）的基础元件。即使在原厂停产之后，该型号仍在维修替换市场中占有一定份额，用于修复老旧设备或延长现有系统的服役周期。

Micron MT41K512M8-HH
　　Samsung K4B511646F-BCK0
　　Hynix H5TQ4G83AFR-PBC