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EM6J1T2R 发布时间 时间:2025/12/25 11:40:43 查看 阅读:26

EM6J1T2R是一款由Elpida(尔必达)公司生产的DDR3 SDRAM内存芯片。这款芯片属于高性能、低功耗的动态随机存取存储器,广泛应用于计算机系统、服务器、嵌入式设备以及消费类电子产品中,作为主存储或缓存使用。随着移动计算和高带宽应用的发展,DDR3技术因其较高的数据传输速率和较低的工作电压而成为主流选择之一。EM6J1T2R采用先进的制造工艺,具备良好的电气性能和稳定性,在工业温度范围内能够可靠运行。该芯片通常以BGA封装形式提供,适合高密度PCB布局设计,并支持x8或x16的数据位宽配置,具体取决于产品版本。作为一款成熟的DDR3颗粒,EM6J1T2R在多通道内存架构中表现出色,可有效提升系统的整体数据吞吐能力。尽管尔必达公司已被美光科技收购,但其原有产品线仍在市场上广泛流通,并被众多内存模组厂商用于生产标准DIMM、SO-DIMM等内存条产品。

参数

型号:EM6J1T2R
  制造商:Elpida (现属Micron)
  内存类型:DDR3 SDRAM
  容量:1Gb (128MB)
  组织结构:64M x 16 / 128M x 8
  工作电压:1.5V ±0.075V
  数据速率:最高支持1600Mbps(DDR3-1600)
  时钟频率:800MHz
  刷新周期:64ms / 8192行
  工作温度:0°C 至 +85°C(商业级)
  封装类型:BGA
  引脚数:96-ball
  数据位宽:x8 或 x16(取决于配置)
  访问时间:约15ns(典型值)
  输入/输出电平:SSTL_15

特性

EM6J1T2R DDR3 SDRAM芯片具备多项先进特性,确保其在复杂电子系统中的高效与稳定运行。首先,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不丢失数据的前提下显著降低功耗,特别适用于对能效要求较高的便携式设备和长时间运行的服务器系统。其次,其内置的温度补偿自刷新(TCSR)功能可根据环境温度动态调整刷新率,进一步优化功耗表现,同时保障数据完整性。此外,EM6J1T2R支持多种省电模式,包括预充电电源关闭和活动电源关闭模式,允许系统在空闲状态下关闭部分内部电路以节省能耗。
  该芯片还具备出色的信号完整性和抗干扰能力,支持差分时钟输入(CK/CK#),确保在高频操作下仍能保持稳定的时序控制。命令和地址信号在时钟上升沿采样,实现了精确的同步操作。EM6J1T2R支持突发长度可编程(BL=4或8)以及突发类型选择(顺序或交错),为不同应用场景提供了灵活的数据访问方式。其内部采用多bank架构(通常为8个bank),允许交替访问不同的存储区域,从而提高连续数据读写效率,减少等待时间。
  为了增强系统兼容性,该器件符合JEDEC标准的DDR3规范,确保与其他标准控制器和内存模块的互操作性。芯片内部集成ZQ校准电路,可通过外部精密电阻实现输出驱动强度和ODT(片上终端)阻抗的自动校准,有效减少信号反射和串扰,提升高速信号传输的可靠性。此外,EM6J1T2R具备良好的热稳定性与长期可靠性,经过严格的出厂测试,适用于工业级和商业级应用环境。其小尺寸BGA封装不仅节省空间,还便于实现高密度内存堆叠设计,满足现代电子产品小型化、高集成度的需求。

应用

EM6J1T2R DDR3 SDRAM芯片广泛应用于多种需要中等容量、高性能内存支持的电子系统中。在个人计算机和笔记本电脑领域,它常被用作SO-DIMM内存条的核心存储单元,尤其适用于追求性价比的入门级或中端机型。在服务器和网络设备中,该芯片可用于构建稳定的内存子系统,支持多任务并发处理和大数据流量转发,保障系统响应速度与运行效率。工业控制设备如PLC、HMI人机界面和嵌入式工控机也普遍采用此类DDR3颗粒,得益于其在宽温环境下的稳定表现和长供货周期优势。
  在消费类电子产品方面,EM6J1T2R常见于智能电视、机顶盒、数字录像机(DVR)等多媒体设备中,用于缓存视频流数据和运行操作系统。其高带宽特性能够满足高清乃至全高清内容解码所需的快速数据交换需求。此外,在通信基础设施如基站、路由器和交换机中,该芯片用于暂存路由表、会话信息和传输缓冲数据,确保通信链路的低延迟与高吞吐量。
  由于其标准化接口和成熟的技术生态,EM6J1T2R也被广泛应用于各类嵌入式开发板和FPGA配套电路中,作为协处理器或图像处理单元的外部存储资源。在医疗设备、测试仪器和自动化测试设备(ATE)中,该芯片提供可靠的临时数据存储能力,支持高速采样和实时分析功能。即使在当前DDR4和DDR5逐步普及的背景下,EM6J1T2R依然因其成本效益和供应链稳定性,在许多 legacy 和 mid-tier 系统中持续服役。

替代型号

MT41K128M16 JT-15E:P
  NT5CC128M16BR-DI

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EM6J1T2R参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds115pF @ 10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EM6J1T2RTR