EM6AB160TSE-5G 时间：2025/5/12 13:36:14 阅读：7

EM6AB160TSE-5G 是一款由东芝（Toshiba）生产的静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片主要用作高速缓存和临时数据存储，适用于需要快速数据访问的各种工业和商业应用。这款 SRAM 芯片采用了先进的制造工艺，确保了低功耗和高性能的平衡。
　　该型号具有高可靠性、低延迟和易于集成的特点，广泛应用于嵌入式系统、网络设备、打印机控制器以及其他对数据访问速度要求较高的场景。

参数

容量：16Mbit
　　组织方式：2048K x 8bit
　　核心电压：3.3V
　　I/O电压：5V
　　封装形式：TQFP100
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存取时间：5ns
　　数据保持时间：无限
　　刷新需求：无需刷新
　　工作频率：最高 200MHz

特性

EM6AB160TSE-5G 提供了卓越的数据存取性能和稳定性，其主要特点包括：
　　1. 高速存取能力：5ns 的典型存取时间使得它非常适合用于实时处理任务。
　　2. 大容量存储：16Mbit 的存储空间为复杂计算提供了足够的缓冲区域。
　　3. 双电压设计：支持独立的核心电压 (3.3V) 和 I/O 电压 (5V)，增强了兼容性。
　　4. TQFP 封装：100 引脚的方形扁平封装，便于 PCB 布局并减少电磁干扰。
　　5. 宽工作温度范围：从 -40°C 到 +85°C，适合各种恶劣环境下的应用。
　　6. 无需刷新：由于 SRAM 的特性，数据在断电前能够永久保存而无需周期性刷新操作。
　　7. 高可靠性：经过严格测试，能够在长时间运行中保持数据完整性。

应用

EM6AB160TSE-5G 在多个领域中都有广泛的应用，包括但不限于：
　　1. 工业自动化设备中的数据缓冲与临时存储。
　　2. 网络路由器和交换机的包缓存功能。
　　3. 打印机控制系统的字体和图像存储。
　　4. 医疗设备中的快速数据采集和处理。
　　5. 视频处理设备中的帧缓冲区。
　　6. 嵌入式系统的高速缓存模块。
　　该芯片凭借其出色的性能和稳定性，成为许多高性能电子产品的理想选择。