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EL817M(D) IC 发布时间 时间:2025/8/29 5:11:40 查看 阅读:9

EL817M(D) IC是一种常用的光电耦合器(光耦)芯片,广泛应用于各种电子设备和控制系统中。该芯片内部包含一个红外发光二极管(LED)和一个光电晶体管,通过光信号的传输实现输入和输出电路之间的电气隔离。EL817M(D) IC因其高隔离电压、良好的抗干扰能力和较长的使用寿命而受到青睐。该芯片通常采用4引脚或6引脚的封装形式,适用于工业自动化、通信设备、电源管理和消费类电子产品等领域。

参数

类型:光电耦合器
  输入类型:红外LED
  输出类型:光电晶体管
  隔离电压:5000 Vrms
  电流传输比(CTR):50%~600%(取决于具体型号)
  最大正向电流:50 mA
  最大反向电压:5 V
  集电极-发射极电压(Vce):30 V
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  封装类型:DIP-4或DIP-6

特性

EL817M(D) IC的核心特性之一是其高隔离电压能力,达到5000 Vrms,这使得输入和输出电路之间能够实现良好的电气隔离,从而有效防止高压干扰和电流冲击对电路系统的损害。这种特性在工业自动化和电源管理应用中尤为重要。
  该芯片的电流传输比(CTR)范围较广,通常在50%到600%之间,这使得它能够适应不同的电流驱动需求。CTR的高值意味着更高的信号传输效率,可以在较低的输入电流下实现较高的输出电流,从而提高系统的能效。
  EL817M(D) IC的光电晶体管输出端具有较高的耐压能力,最大集电极-发射极电压为30 V,这使得它能够承受较高的电压波动而不损坏。此外,芯片的最大正向电流为50 mA,反向电压为5 V,确保了在大多数应用场景中的稳定运行。
  该芯片的工作温度范围为-55°C至+125°C,具有良好的耐高温和低温性能,适用于各种恶劣的环境条件。这种宽温度范围的特性使其在工业控制和汽车电子等应用中表现出色。
  EL817M(D) IC通常采用DIP-4或DIP-6封装形式,便于在印刷电路板(PCB)上安装和使用。其小型化的封装设计不仅节省空间,还提高了电路设计的灵活性。

应用

EL817M(D) IC广泛应用于需要电气隔离的场合,例如工业自动化控制系统中的信号隔离和保护电路。在这些系统中,EL817M(D) IC可以有效地隔离高压和低压电路,防止高压干扰对控制系统的影响,从而提高系统的可靠性和安全性。
  在通信设备中,EL817M(D) IC常用于隔离不同的电路模块,确保信号传输的稳定性和安全性。例如,在数据通信接口中,它可以隔离主控电路和外部设备之间的信号传输路径,防止静电放电(ESD)和其他电气干扰对设备的损害。
  在电源管理系统中,EL817M(D) IC可以用于隔离电源控制电路和负载电路。这种应用可以有效防止电源波动对控制电路的影响,同时提高系统的能效和稳定性。例如,在开关电源和逆变器中,EL817M(D) IC可以作为反馈电路的一部分,实现精确的电压和电流控制。
  此外,EL817M(D) IC还常用于消费类电子产品,如家电、音频设备和照明系统。在这些应用中,它主要用于隔离用户接口和内部电路,防止用户触电风险,同时确保设备的正常运行。

替代型号

TLP521-4, PC817, H11AA1

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