工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　LED 正向电流：60 mA
　　LED 反向电压：5 V
　　集电极-发射极电压：30 V
　　集电极电流：150 mA
　　功耗：150 mW
　　绝缘电压：5000 VRMS
　　电流传输比（CTR）：50%~600%
　　响应时间：3 μs（典型值）

EL817-F 具备出色的电气隔离性能，其绝缘电压可达 5000 VRMS，能够有效隔离高压侧与低压侧电路，保障系统的稳定性和安全性。
　　该光耦的电流传输比（CTR）范围广泛，从 50% 到 600%，确保在不同应用条件下都能实现良好的信号传输效率。
　　EL817-F 采用高可靠性红外 LED 和光电晶体管结构，具有较长的使用寿命和稳定的性能表现。　　此外，该器件具有较强的抗电磁干扰能力，适用于工业现场等复杂电磁环境中的信号隔离与传输任务。

EL817-F 主要用于需要电气隔离和信号传输的场合，典型应用包括开关电源、逆变器、变频器、工业自动化控制系统、PLC（可编程逻辑控制器）、电表和测量仪器等设备中的信号隔离与反馈控制。
　　在电力电子系统中，EL817-F 可用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT 模块，实现控制电路与功率电路之间的隔离，从而提升系统的安全性和可靠性。
　　此外，该光耦也常用于通信接口电路中，如 RS-232、RS-485 等通信标准中实现信号隔离，防止地电位差引起的通信干扰或设备损坏。
　　由于其高绝缘性和良好的传输特性，EL817-F 也被广泛应用于医疗电子设备、安全监控系统以及智能电表等对电气安全性要求较高的领域。

PC817、TLP521、HCNR200、LTV-817、SFH618A