EL6N136是一种高速光耦合器,主要用于信号隔离和传输。它采用GaAs LED(砷化镓发光二极管)作为输入端,配合硅光电晶体管作为输出端,具有高抗噪能力、宽工作温度范围以及良好的电气特性。
该器件适合应用于各种工业控制、通信设备、医疗设备以及其他需要可靠信号隔离的场合。
集电极-发射极电压:50V
集电极电流:50mA
输入电流:1.6mA
电流传输比(CTR):100% to 300%
最大功耗:125mW
存储温度范围:-40℃至+85℃
工作温度范围:-40℃至+85℃
EL6N136具备较高的电流传输比,能够有效提升信号传输效率。同时,其输入端LED与输出端光电晶体管之间的隔离保证了良好的电气绝缘性能,可承受高达2500伏的隔离电压(依据不同标准)。此外,由于其响应速度快,适用于高频信号传输场景。
该芯片封装紧凑,通常采用DIP-4或SOP-4形式,便于安装在各种电路板上。它的稳定性和可靠性经过严格测试,能够在恶劣环境下长时间运行。
EL6N136广泛应用于开关电源、电机驱动电路、固态继电器、数字信号隔离及各种工业自动化系统中。在通信领域,它可用于数据链路隔离;在医疗设备方面,如心率监测仪等需要高精度信号处理的设备中,EL6N136同样表现出色。此外,它还常见于家用电器中的安全隔离电路设计。
HCPL7800
TLP621
PS2801