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EL5000AER-T7 发布时间 时间:2025/7/16 11:21:02 查看 阅读:5

EL5000AER-T7是一款高性能的功率MOSFET晶体管,专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,确保在各种条件下都能提供卓越的性能和可靠性。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域,适用于多种工业和消费类电子设备。
  这款MOSFET具有极低的导通电阻和快速的开关速度,从而减少能量损耗并提高整体系统效率。此外,其坚固的设计使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

类型:N沟道增强型
  电压等级:60V
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  最大漏电流:120A
  栅极电荷:45nC
  连续漏极电流:80A
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

EL5000AER-T7具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,在高电流应用中可有效降低功耗。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和PWM控制器。
  3. 高雪崩能量能力,增强了在异常情况下的保护功能。
  4. 出色的热稳定性,即使在高温环境下也能保证正常工作。
  5. 提供全面的静电防护措施,提高了产品的可靠性和使用寿命。

应用

该芯片主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器。
  2. 各类DC-DC转换器,包括降压、升压及反激式拓扑。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
  5. 工业自动化控制系统的功率管理模块。

替代型号

EL5000AEQ-T7, IRF540N, FDP55N06L

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