时间：2025/4/30 19:47:36
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EL3H7(D)(TA)-VG是一种高性能的功率MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电机驱动、开关电源等应用领域。
该型号的特殊封装形式使其具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度范围内稳定运行，同时其高可靠性也适用于工业及汽车电子环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：80nC
开关速度：快速
结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部元件体积。
3. 具备强大的雪崩能力，可承受瞬态过压情况下的能量冲击。
4. 封装形式优化散热，适合高功率密度应用场景。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 高可靠性和稳定性，满足严苛工业环境要求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电动工具、家用电器中的电机驱动。
4. 汽车电子系统的负载切换与控制。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
IRF540N, FDP5580, STP90NF06L
