类型：高速光耦合器
　　封装类型：DIP-8
　　最大正向电流（IF）：50mA
　　最大反向电压（VR）：5V
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大功耗（PD）：150mW
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS
　　响应时间（Ton/Toff）：2μs / 3μs
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（取决于型号后缀）
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C

EL3H7(B)(EA)0VG 是一款高性能的高速光耦合器，其核心优势在于高速响应和可靠的电气隔离能力。该系列光耦采用先进的GaAs红外LED和硅光电晶体管技术，具有快速的导通和关断时间，适用于高频信号隔离场合。其隔离电压高达5000 VRMS，能够有效隔离高压电路，保障系统的安全性和稳定性。此外，该器件具有较高的电流传输比（CTR），典型值范围为50%至600%，确保了信号传输的高效性与准确性。
　　EL3H7(B)(EA)0VG 的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，适应各种严苛的工作环境，包括工业现场和高热应力区域。其封装形式为标准的DIP-8，便于PCB布局和自动化装配，广泛应用于电源、逆变器、伺服电机控制器、工业PLC和通信设备中。
　　该器件还具备良好的抗干扰性能，适用于噪声环境下的信号隔离传输。此外，其低功耗特性使其在高密度电路设计中表现出色，有助于提高整体系统的能效和稳定性。由于其高可靠性，EL3H7(B)(EA)0VG 在工业控制、医疗设备、测量仪器和自动化系统中得到了广泛应用。

EL3H7(B)(EA)0VG 主要应用于需要高速信号隔离和电气绝缘的电子系统中。其典型应用包括工业自动化控制系统中的信号隔离、伺服电机和步进电机驱动器的反馈隔离、变频器和逆变器中的栅极驱动隔离、工业PLC和DCS系统的输入输出隔离等。此外，该器件也广泛用于电源管理系统、电池充电设备、通信设备的接口隔离以及智能电表的信号传输部分。
　　在电力电子领域，EL3H7(B)(EA)0VG 常用于隔离控制电路与高压功率电路之间的信号传输，例如在MOSFET或IGBT的栅极驱动电路中，确保控制信号的稳定传输，同时防止高压对控制电路造成干扰或损坏。在工业现场总线系统中，如CAN总线、RS-485通信系统中，该光耦也可用于隔离不同电位的通信节点，提高系统的抗干扰能力和稳定性。
　　在医疗电子设备中，该光耦可用于隔离患者接口电路与主控系统，确保电气安全。在测量和测试仪器中，EL3H7(B)(EA)0VG 可用于隔离被测电路与测试系统的信号连接，避免接地回路带来的测量误差。

EL3H7(B)(TA)0VG, EL3H7(B)(FA)0VG, PC817, TLP521, HCPL-2630