类型：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：18A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型）
　　栅极电荷（Qg）：6.3nC
　　开关频率：高达10MHz
　　封装形式：BGA（芯片级封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　漏源击穿电压（BVDSS）：200V
　　栅极驱动电压（VGS）：-4V 至 +6V

EL0530 采用先进的增强型氮化镓技术，具备优异的导电性和极低的导通电阻，使其在高频开关应用中表现出色。其主要特性包括：
　　? 高频操作能力：由于 GaN 材料的特性，EL0530 可以在高达 10MHz 的频率下运行，从而实现更小的磁性元件和更高的功率密度。
　　? 低 RDS(on)：18mΩ 的典型导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　? 快速开关速度：EL0530 的开关损耗极低，使其适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和高频逆变器等应用。
　　? 紧凑型封装：采用 BGA 封装，体积小巧，热阻低，有利于高效散热。
　　? 高温稳定性：能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境。
　　? 简化电路设计：与传统硅 MOSFET 相比，EL0530 的栅极驱动简单，无需负电压关断，简化了驱动电路设计。
　　? 高可靠性：EPC 的 GaN 技术经过严格测试，确保器件在长期运行中的稳定性和可靠性。

EL0530 广泛应用于需要高效率、高频开关和紧凑设计的电力电子系统中，包括：
　　? 高频 DC-DC 转换器：适用于 48V 至 12V 或更低电压的高效转换系统。
　　? 同步整流器：用于提高电源转换效率，特别是在 LLC 和反激式转换器中。
　　? 无线充电系统：支持高频无线功率传输，提升充电效率。
　　? 马达驱动：适用于高功率密度的电机控制和驱动电路。
　　? D类音频放大器：实现高保真、低失真的音频输出。
　　? 激光驱动和传感器电源：提供快速响应和稳定输出的电源解决方案。
　　? 电信和服务器电源：满足高效率、高功率密度的供电需求。

EPC2052, EPC2045, EPC2035