时间：2025/9/10 13:33:13
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EKZE6R3ETC122MH20D是一款由EPC（Efficient Power Conversion）公司生产的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），型号中的具体含义为：E代表增强型（Enhancement-mode），KZ代表产品系列，E6R3表示漏源电压（VDS）和额定电流值，ETC122MH20D则为特定的封装与性能等级标识。这款器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于电源转换器、DC-DC变换器、AC-DC电源、无线充电系统等领域。与传统硅基MOSFET相比，GaN FET具有更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的热稳定性，从而能够实现更高的功率密度和能效。
类型：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：30A（@TC=100°C）
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ（最大值）
栅极电荷（QG）：20nC
反向恢复电荷（Qrr）：0nC（无体二极管反向恢复）
封装类型：表面贴装（SMT），尺寸为12.2mm x 12.2mm x 2.0mm
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
热阻（RθJC）：约1.2°C/W
器件极性：N沟道
EKZE6R3ETC122MH20D采用先进的氮化镓技术制造，具有优异的电气性能和热管理能力。其增强型结构确保了器件在零栅极电压下处于关闭状态，提高了系统的安全性和稳定性。该器件的导通电阻仅为120mΩ，使得在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体效率。此外，其快速的开关特性可显著降低开关损耗，支持更高频率的运行，有助于减小磁性元件和电容的尺寸，提高功率转换系统的功率密度。
EKZE6R3ETC122MH20D无体二极管反向恢复电荷（Qrr=0nC），这在高频和高效率应用中尤为重要，因为它可以避免传统硅MOSFET在开关过程中因体二极管反向恢复而产生的额外损耗和电磁干扰（EMI）。该器件的栅极电荷（QG）为20nC，确保了较低的驱动损耗，使其适用于高频功率转换器设计。
该器件采用12.2mm x 12.2mm的小型表面贴装封装（SMT），具有良好的热传导性能，适合自动化生产和高密度PCB布局。其工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的环境适应性和可靠性，适用于工业、通信、消费类电子等多种应用场景。
EKZE6R3ETC122MH20D广泛应用于高效能电源系统，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动、光伏逆变器以及无线充电设备等。其高频、高效特性使其在需要高功率密度和高效率的电源设计中具有明显优势，例如在图腾柱PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振转换器、同步整流电路以及高频DC-DC降压转换器中均有出色表现。此外，由于其低导通电阻和无反向恢复特性，也适合用于高效率的同步整流和桥式拓扑结构中，以提升整体系统效率并降低散热需求。
EPC2218, EPC2050, EPC2067, GaN Systems GS-065-015
