类型：单通道隔离栅极驱动器
　　输入电压范围：2.7V 至 18V
　　输出驱动电压：-8V 至 +15V（典型值）
　　峰值输出电流：4A（拉电流），6A（灌电流）
　　供电电压（VDD）：最大22V
　　隔离耐压：3600 V RMS（符合UL1577标准）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs（最小值）
　　传播延迟：55 ns（典型值）
　　上升时间（10%–90%）：15 ns（负载1nF）
　　下降时间（90%–10%）：10 ns（负载1nF）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-8 宽体封装
　　隔离等级：增强型隔离
　　开关频率支持：高达500 kHz
　　集成去饱和保护响应时间：约200 ns
　　欠压锁定阈值（UVLO）：上电约11.5V，掉电约10.5V（迟滞约1V）

EIRF6618具备卓越的电气隔离性能，采用英飞凌专有的磁耦合隔离技术，实现了输入与输出之间的完全电气隔离，隔离耐压可达3600V RMS，满足工业级安全标准。这种增强型隔离不仅提升了系统的安全性，还能有效抑制地环路噪声和共模干扰，特别适用于高电压、高噪声环境下的功率转换系统。该芯片的共模瞬态抗扰度（CMTI）高达±100kV/μs，意味着即使在dv/dt变化极为剧烈的应用场景中，例如SiC MOSFET高速开关过程中，也能保持信号传输的完整性，避免误触发或逻辑翻转，从而保障系统的稳定运行。
　　在驱动能力方面，EIRF6618提供高达6A的峰值灌电流和4A的拉电流，能够快速充放电功率器件的栅极电容，显著缩短开关过渡时间，降低开关损耗，提高系统效率。其低传播延迟（典型55ns）和优异的延迟匹配特性，使得多相或多管并联系统中的同步控制更加精确，减少电流不平衡现象。此外，芯片内部集成了米勒钳位电路，在关断期间主动将栅极电压钳位至低电平，有效抑制米勒效应引起的误开通，提升系统可靠性。
　　保护功能是EIRF6618的一大亮点。它集成了去饱和（Desat）检测电路，可通过外部DESAT引脚监测IGBT或MOSFET的集电极-发射极或漏源极电压，在发生短路或过流时迅速识别并触发软关断或硬关断机制，保护功率器件免受损坏。该保护机制响应时间极短（约200ns），配合内部的故障锁存和FAULT引脚输出，可及时通知控制器采取相应措施。同时，芯片具备完善的欠压锁定（UVLO）功能，确保在电源电压未达到正常工作范围前不输出驱动信号，防止因驱动电压不足导致的功率管工作在线性区而烧毁。

EIRF6618广泛应用于各类需要高效、高可靠性栅极驱动的电力电子系统中。在工业电机驱动领域，该芯片可用于三相逆变器中驱动IGBT模块，实现对交流电机的精准控制，尤其适用于伺服驱动器和变频器等高性能场合。在新能源发电系统中，如光伏逆变器和储能变流器（PCS），EIRF6618凭借其高CMTI和强抗干扰能力，可在高dv/dt环境下稳定驱动SiC或IGBT功率器件，提升系统转换效率和长期运行稳定性。在不间断电源（UPS）系统中，该驱动器用于半桥或全桥拓扑结构中的开关管驱动，支持高频切换，有助于缩小磁性元件体积，提高功率密度。
　　此外，EIRF6618也适用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、感应加热设备以及各类开关模式电源（SMPS）中，尤其是在采用碳化硅（SiC）MOSFET的高端电源设计中表现突出。其宽温工作范围和高可靠性使其适合部署在高温工业环境或密闭空间内。由于其具备故障反馈机制，可与微控制器或数字信号处理器（DSP）配合构建闭环保护系统，实现智能化功率管理。在模块化电源设计中，EIRF6618的小尺寸封装和高集成度也有助于简化PCB布局，提升系统可维护性和生产良率。

IR21844SPBF
　　UCC21520DW
　　ADuM4135BRWZ