时间：2025/5/24 19:41:20
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EGXE500ELL470MH12D是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺和封装技术。该芯片适用于高效率、高频开关应用，广泛用于工业电源、通信设备、电机驱动等领域。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
该器件通过优化栅极电荷设计，显著降低了开关损耗，同时保持了较低的导通电阻，从而提升了整体系统效率。此外，它还具备强大的雪崩能力和抗静电能力，增强了系统的可靠性和稳定性。
型号：EGXE500ELL470MH12D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
脉冲漏极电流(Ip)：36A
导通电阻(Rds(on))：0.47Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：1600pF
反向传输电容(Crss)：22pF
总电荷量(Qtot)：95nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力：最大漏源电压可达500V，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，Rds(on)仅为0.47Ω，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能：得益于低栅极电荷设计，能够实现快速开关，减少开关损耗。
4. 稳定性强：具有强大的雪崩能量吸收能力，能够在过载或异常情况下保护电路。
5. 良好的热性能：优化的封装设计提高了散热效率，适合高功率密度应用。
6. 抗静电能力强：内置ESD保护机制，提高了芯片的可靠性。
7. 宽温工作范围：支持从-55℃到+150℃的工作温度区间，适应各种极端环境。
1. 开关电源(SMPS)：包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
2. 工业控制：如电机驱动、逆变器、伺服系统等。
3. 通信设备：应用于基站电源、通信模块等。
4. 太阳能逆变器：用作高效功率转换的核心元件。
5. 汽车电子：适配于车载充电器、电动车控制器等场景。
6. 其他高电压、高频率应用领域。
EGXE500ELL470MH15D, EGXE500ELL470MH10D
