您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > EGT108M1VI20RRS0P

EGT108M1VI20RRS0P 发布时间 时间:2025/8/30 14:52:48 查看 阅读:1

EGT108M1VI20RRS0P 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电机控制、逆变器、电源系统以及新能源设备中。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,具有良好的开关性能和高电流承载能力。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压:600V
  最大集电极电流:100A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:双列直插式封装(DIP)
  短路耐受能力:支持
  栅极驱动电压:±20V
  导通压降:约2.1V(典型值)
  开关损耗:低功耗设计,具体数值参考数据手册
  热阻:根据散热设计不同而变化
  认证标准:符合RoHS标准

特性

EGT108M1VI20RRS0P 具备优异的热稳定性和高可靠性,适合高频开关应用。其低导通压降和快速开关特性有助于降低整体系统损耗,提高效率。此外,该模块内部集成了反向并联二极管,能够有效吸收感性负载产生的反向电流,提高系统的稳定性。模块采用高绝缘材料封装,确保在高电压环境下仍具有良好的安全性和抗干扰能力。
  该IGBT模块还具备良好的短路保护能力,能够在极端工作条件下维持正常运行,避免因过流或短路导致的器件损坏。其栅极驱动电路设计灵活,支持多种驱动方式,便于与不同类型的控制电路配合使用。同时,模块的封装结构优化了散热路径,提高了热传导效率,适用于对散热要求较高的应用场景。

应用

EGT108M1VI20RRS0P 常用于工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电机控制以及各种功率转换系统。由于其高可靠性和优异的电气性能,也适用于需要长时间稳定运行的自动化控制设备和新能源发电系统。

替代型号

Toshiba EGT108M1VI20RRC0P、Toshiba EGT108M1VI15RRS0P、Fuji Electric 6MBP100RA-060、Infineon FS100R06KE3

EGT108M1VI20RRS0P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价