类型：智能功率模块（IPM）
　　拓扑结构：H桥（H-Bridge）
　　最大集电极电流（Ic）：35A
　　最大阻断电压（VCES）：700V
　　内部功率器件：IGBT
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　绝缘等级：增强绝缘
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　输入信号电压范围：3.3V 至 20V

EGN35C070I2D 具备多项先进的性能特点，确保其在高要求的工业环境中稳定运行。首先，该模块内置的IGBT器件具有低饱和压降和快速开关特性，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其次，模块集成了全面的保护功能，包括过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP），从而提升了系统的可靠性和安全性。
　　此外，EGN35C070I2D 采用增强型绝缘封装技术，提供更高的电气隔离能力，适用于需要高安全等级的工业设备。其DIP封装形式便于安装和散热设计，适合PCB板上安装，广泛用于伺服驱动器、变频器、工业机器人和自动化设备中。
　　该模块还具备良好的热管理能力，内部集成温度传感器，可以实时监测模块温度，防止过热损坏。其输入信号兼容3.3V至20V电压范围，便于与各种控制器（如DSP、MCU或FPGA）接口，简化了系统设计。

EGN35C070I2D 主要应用于以下领域：
　　1. 伺服驱动器和步进电机控制器；
　　2. 工业变频器与电机驱动系统；
　　3. 工业自动化设备中的逆变器电路；
　　4. 机器人控制系统；
　　5. 高性能电源转换设备；
　　6. 电力电子实验平台与开发系统。

TJ150SE600 IGBT模块, STGIPN3H60 IGBT智能功率模块