类型：增强型氮化镓场效应晶体管
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：22 A
　　脉冲漏极电流（ID_pulse）：88 A
　　导通电阻（RDS(on)）：17 mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.3 V
　　最大栅源电压（VGS）：+6 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：1020 pF
　　输出电容（Coss）：145 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：LGA 6.1mm x 6.1mm

EG2101CA的核心优势在于其基于GaN（氮化镓）半导体材料所构建的增强型场效应晶体管结构，这种材料体系使其在多项关键性能指标上远超传统硅基MOSFET。首先，该器件拥有极低的导通电阻（RDS(on)仅为17mΩ），这意味着在大电流传输过程中产生的导通损耗显著降低，从而提升了整体转换效率并减少了散热需求。其次，由于GaN材料具有更高的电子饱和漂移速度，EG2101CA能够实现极快的开关速度，开关时间可达到纳秒级别，支持在数百kHz至数MHz的高频条件下运行。这使得电源系统可以采用更小的磁性元件和滤波电容，大幅缩小系统体积与重量，特别适合对空间敏感的应用场景，如便携式设备和无人机。
　　另一个重要特性是其几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这是由于eGaN FET为单极性器件，不存在体二极管及其相关的载流子存储效应。因此，在硬开关拓扑（如同步降压、半桥、全桥）中不会产生因反向恢复引起的尖峰电流和额外损耗，极大改善了EMI表现并提高了系统的可靠性和效率。此外，EG2101CA采用底部散热焊盘的LGA封装，不仅减小了寄生电感，还增强了热传导能力，使热量能高效传递至PCB地层进行散热。然而，由于其栅介质对过压敏感，必须严格控制栅源电压在+6V至-4V之间，建议配合专用的GaN驱动器使用，并加入适当的负压关断或有源米勒钳位功能以防止误开通。总体而言，EG2101CA代表了当前宽禁带功率器件的发展方向，兼具高性能、高效率与高集成潜力。

EG2101CA凭借其优异的高频开关性能和低导通损耗，被广泛应用于多个前沿电力电子领域。在DC-DC功率转换中，它常用于高频率同步降压变换器，服务于数据中心服务器电源、AI加速卡供电模块及车载OBC（车载充电机）中的次级同步整流环节。其快速响应能力也使其成为多相VRM（电压调节模块）的理想选择，满足现代CPU和GPU对动态负载响应的严苛要求。在激光雷达（LiDAR）系统中，EG2101CA可用于驱动高功率激光二极管，通过极短的电流脉冲实现精确的距离测量，其纳秒级的开关能力保障了测距精度与时序控制的稳定性。此外，在无人机和电动飞行器的电调系统中，该器件可用于构建高效的三相逆变电路，提供更高的功率密度和更长的续航时间。无线充电发射端也是其典型应用场景之一，特别是在A4WP或AirFuel标准下的磁共振无线充电系统中，需要在6.78MHz等高频下工作，而EG2101CA的低Qrr和低Coss特性正好契合这一需求。其他应用还包括射频能量传输、LED照明驱动、太阳能微型逆变器以及工业电机驱动中的高频桥式电路。随着GaN生态链的成熟，EG2101CA正逐步替代传统MOSFET，推动电源系统向更高效率、更小体积的方向演进。

EPC2101
　　EPC2023
　　EPC2052
　　LMG5200（集成驱动方案）