EG112 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率晶体管(Power Transistor),广泛用于需要高功率放大的电子电路中。这款晶体管采用了先进的硅技术,能够提供高电流和高电压的处理能力,适用于各种高功率应用,如电源供应器、功率放大器和工业控制设备。
类型:NPN 功率晶体管
最大集电极电流:15 A
最大集电极-发射极电压:100 V
最大功耗:150 W
增益带宽积:4 MHz
封装类型:TO-220
EG112 功率晶体管具有多项优良特性,使其在高功率应用中表现出色。
首先,其最大集电极电流可达15 A,能够处理较大的负载电流,适合高功率放大的需求。其次,最大集电极-发射极电压为100 V,使得该晶体管能够在较高的电压环境下稳定工作。
此外,EG112 的最大功耗为150 W,这意味着它可以在较高温度下工作而不发生热失控,增强了器件的可靠性。其增益带宽积为4 MHz,保证了在较高频率下的良好放大性能,适用于需要较高频率响应的应用场景。
封装形式采用TO-220标准封装,这种封装不仅提供了良好的散热性能,而且便于安装在散热片上,进一步提高了器件的热管理能力。TO-220封装也广泛用于各种电子设备中,具有良好的通用性和兼容性。
EG112 还具有较低的饱和压降(Vce_sat),这有助于减少功率损耗,提高电路的整体效率。同时,该晶体管具备较高的电流增益(hFE),确保了在小信号输入下也能实现较大的输出功率,适用于高增益放大电路的设计。
EG112 主要应用于需要高功率放大的电路中。例如,在电源供应器中,它可以作为开关元件,负责控制大电流的通断;在音频功率放大器中,EG112 可以用来驱动扬声器,提供清晰的音频输出;在工业控制设备中,该晶体管可以用于电机驱动和继电器控制等场景。此外,EG112 还可以用于逆变器、UPS(不间断电源)以及各种电力电子设备的设计中。
TIP142, MJ2955