工作电压范围：4.5V ~ 60V
　　最大持续输出电流：4A（取决于外部MOSFET）
　　电流检测精度：±2%（典型值）
　　过压保护阈值：63V（固定，带迟滞）
　　欠压锁定（UVLO）：4.2V（启动），3.9V（关闭）
　　静态电流：75μA（典型值）
　　关断模式电流：<1μA
　　过流保护响应时间：10μs（典型）
　　软启动时间：可编程（通过外部电容）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOP-8

EFOS6504E5的核心特性之一是其高度集成的保护功能，集成了过流、过压、欠压、反向电压和过温等多种保护机制，使其成为复杂电源系统中的理想选择。该芯片使用外部N-FET作为通路开关，允许用户根据实际功率需求灵活选择MOSFET型号，从而优化导通电阻与散热性能之间的平衡。其内置的精密电流检测电路可在全温度范围内保持±2%的高精度，确保系统在各种工况下都能准确识别负载电流变化。当检测到超过设定阈值的电流时，芯片会在10微秒内迅速关断外部MOSFET，防止故障扩大。同时，EFOS6504E5支持可配置的重试模式：一旦触发保护，可通过外部电容设置冷却时间后自动重启，或者配置为锁存模式以维持关断状态直至系统复位，提升了系统的容错能力和维护便利性。
　　另一个显著特点是其软启动功能，可通过连接在SS引脚与地之间的电容来调节输出电压上升速率，避免上电过程中产生过大浪涌电流而影响上游电源稳定性。此功能对于连接大容量输出电容或容性负载尤为关键。此外，芯片具备反向电流阻断能力，当输出端电压高于输入端时（如热插拔场景），能有效阻止电流倒灌，保护前端电源不受损害。EFOS6504E5还具有低静态功耗优势，在正常工作状态下仅消耗约75μA电流，适合用于电池供电或节能型系统。其内部逻辑经过优化设计，抗干扰能力强，能够在电磁环境复杂的工业现场可靠运行。所有保护阈值均已在出厂时精确校准，无需额外调整，简化了系统设计流程。

EFOS6504E5广泛应用于需要高可靠性和智能电源管理的电子系统中。常见用途包括热插拔电源模块，例如在电信机架式设备中实现板卡的在线更换而不中断主电源；在工业自动化控制柜中作为各子系统的独立供电保护单元，防止局部故障扩散至整个系统；在数据中心服务器背板中提供冗余电源路径的过流与浪涌保护；也可用于高端嵌入式设备、医疗仪器以及测试测量设备中，保障敏感电路免受电源异常的影响。由于其支持宽电压输入和可扩展电流能力，该芯片也适用于多种直流电源架构，如12V、24V乃至48V供电系统。此外，在便携式工业终端或户外通信节点中，EFOS6504E5可用于电池输入端的前端保护，结合外部MOSFET实现双向隔离与故障隔离功能。其紧凑的SOP-8封装形式有利于节省PCB空间，适合高密度布局设计。总体而言，凡是对电源安全性、稳定性和可维护性有较高要求的应用场景，EFOS6504E5均可提供高效且可靠的解决方案。

TPS25990DRCR
　　MAX17526ATC+
　　NIS5020