类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

EFMB320 MOSFET具备一系列优异的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，该器件的高漏源电压（200V）使其适用于高压电源系统，例如开关电源、逆变器和电机控制电路。其次，EFMB320的低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
　　此外，该MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力（±30V），增强了在高电压切换环境下的稳定性和可靠性。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在标准电路板上安装和焊接。
　　EFMB320还具备良好的热保护性能，在高负载条件下仍能保持稳定运行，适用于需要长时间连续工作的工业设备。其高频开关特性也使其适用于DC-DC转换器、LED驱动电源等应用。综合来看，EFMB320是一款性能稳定、适用范围广泛的功率MOSFET。

EFMB320广泛应用于各类需要高效功率控制的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关控制。由于其具备较高的漏源电压和良好的导通特性，EFMB320也常用于家用电器和消费电子产品中的电源模块中。

SiHF320N, FDPF320N, IRF320N