时间：2025/5/16 11:38:08
阅读：8
EFCH1960TCA1是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，适用于高效率、低损耗的应用场景。该器件主要针对开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域，提供出色的导通特性和开关性能。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：2400pF
总功耗：30W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适合高效能设计。
3. 优化的热性能，能够承受较高的结温。
4. 强固的设计结构，具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力。
5. 小型化的封装形式，便于在紧凑空间内进行布局。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制模块。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
6. 其他需要高效功率转换和开关控制的应用场景。
IRFZ44N
STP25NF06
FDP18N06L
