EF2-4.5NFX-L 时间：2025/5/7 16:06:02 阅读：11

EF2-4.5NFX-L 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率晶体管，属于增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）。该器件设计用于高频和高效率应用领域，例如开关电源、射频放大器以及电机驱动器等。其独特的材料特性和结构设计使其在高频工作条件下仍能保持较低的导通电阻和开关损耗。
　　这款晶体管采用了先进的封装技术以提升散热性能和可靠性，并支持表面贴装工艺（SMD），便于自动化生产和集成到紧凑型设计中。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4.5A
　　导通电阻：150mΩ
　　栅极电荷：30nC
　　输入电容：1200pF
　　开关频率：高达 10MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

1. 高击穿电压：能够承受高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境。
　　2. 超低导通电阻：150mΩ 的典型值确保了低功耗和高效能转换。
　　3. 快速开关速度：支持高达 10MHz 的开关频率，满足高频应用需求。
　　4. 增强模式操作：仅在正栅极电压下导通，简化了驱动电路设计。
　　5. 高温适应性：能在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内可靠运行。
　　6. 小型化封装：L 封装形式支持 SMD 技术，节省 PCB 空间并提高组装效率。
　　7. 高可靠性：通过严格的电气和机械测试，确保长期稳定运行。