EEHZE1V271P是一款高性能的贴片式陶瓷电容器,主要用于射频和微波应用领域。该型号属于村田制作所(Murata)生产的GRM系列多层陶瓷电容器(MLCC),具有低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻)特性,适合高频电路中的滤波、耦合以及旁路等功能。
该电容器采用X7R介质材料,具备良好的温度稳定性和可靠性,在较宽的工作温度范围内表现出较小的电容变化。
型号:EEHZE1V271P
标称电容值:100pF
额定电压:50V
介质材料:X7R
封装尺寸:0402英寸(1005公制)
工作温度范围:-55℃至+125℃
耐压等级:50VDC
阻抗特性:低ESL/ESR
公差:±5%
EEHZE1V271P采用了先进的制造工艺,确保了其在高频环境下的优异性能。其主要特点包括:
1. 使用X7R介质材料,提供稳定的电容值,即使在极端温度条件下也能保持较低的电容漂移。
2. 小型化设计,适合高密度电路板布局,同时减少寄生效应。
3. 极低的等效串联电感和等效串联电阻,使其在GHz频率范围内的表现尤为突出。
4. 具备出色的频率响应能力,非常适合用于射频前端模块、无线通信设备和其他高速信号处理场景。
5. 高可靠性和长寿命,满足工业级和消费级电子产品的严格要求。
EEHZE1V271P广泛应用于各类高频电子设备中,例如:
1. 无线通信系统:包括基站、路由器、智能手机等。
2. 射频模块:如功率放大器、滤波器、混频器等。
3. 数据传输设备:例如光纤收发器、网络交换机等。
4. 消费类电子产品:如蓝牙设备、Wi-Fi模块等。
5. 工业控制和汽车电子:用作信号调理或电源去耦。
由于其优良的高频特性和紧凑的设计,该型号特别适用于需要小体积和高性能的场合。
EEHZC1V271P, EEHXB1V271P, C0402C101J5GACTU