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EEFSX0G221ER 发布时间 时间:2025/4/28 18:24:54 查看 阅读:37

EEFSX0G221ER 是一款由村田制作所(Murata)生产的片式多层 G 系列,具有高可靠性和出色的电气性能。该型号适用于高频电路中的信号耦合、滤波和去耦等场景。EEFSX0G221ER 使用 X7R 温度特性介质材料,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值。
  这款电容器采用表面贴装技术(SMT),适合自动化生产流程,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和其他需要小型化和高性能电容器的领域。

参数

电容值:2.2μF
  额定电压:6.3V
  尺寸:0402 (EIA) / 1005 (公制)
  温度特性:X7R (-55°C 至 +125°C,变化率 ±15%)
  耐湿性等级:符合 IEC 60068-2-60 标准
  封装类型:表面贴装
  绝缘电阻:≥ 1000MΩ
  损耗角正切值:≤ 0.015

特性

EEFSX0G221ER 具有以下显著特性:
  1. 高可靠性:采用先进的制造工艺,确保在各种环境条件下的长期稳定性。
  2. 小型化设计:0402 尺寸使其非常适合对空间要求严格的应用场景。
  3. 温度稳定性:X7R 材料保证了其在宽温范围内的性能一致性。
  4. 低 ESL 和 ESR:优化的内部结构减少了寄生效应,提升了高频性能。
  5. 环保友好:符合 RoHS 标准,无铅设计,适合绿色电子产品的需求。
  6. 自动化友好:表面贴装封装支持高效的 SMT 装配流程。

应用

EEFSX0G221ER 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
  2. 通信设备:用于射频模块、滤波器、电源管理电路等。
  3. 工业控制:适用于电机驱动器、传感器接口、信号调理电路等。
  4. 汽车电子:可用于导航系统、信息娱乐系统以及车身控制系统。
  5. 医疗设备:为医疗监测仪器提供稳定可靠的滤波和去耦功能。
  6. 物联网(IoT)设备:支持低功耗模块中的电源滤波与信号调节。

替代型号

EEFSX2A221BR, GRM155R60J220KE84

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EEFSX0G221ER参数

  • 安装类型表面
  • 容差±20%
  • 容差 正+20%
  • 容差 负-20%
  • 寿命时间1000h
  • 尺寸7.3 x 4.3 x 1.9mm
  • 最低工作温度-40°C
  • 最高工作温度+105°C
  • 深度4.3mm
  • 电压4 V 直流
  • 电容值220μF
  • 等值串联电阻值0.009Ω
  • 纹波电流3000mA
  • 结构偏平
  • 长度7.3mm
  • 高度1.9mm