EEETG1H101UP 时间：2025/6/19 15:36:40 阅读：25

EEETG1H101UP 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，适用于高频开关和高效率电源转换应用。该器件采用了增强型 GaN HEMT (高电子迁移率晶体管) 技术，具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下实现更高的系统效率和更小的解决方案尺寸。
　　EEETG1H101UP 主要用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动和其他需要高效率与高功率密度的场景。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大连续漏极电流：2A
　　导通电阻（典型值）：100mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　输入电容：1350pF
　　反向恢复时间：10ns
　　工作温度范围：-40℃ 至 +125℃

特性

EEETG1H101UP 提供了卓越的电气性能，包括但不限于以下特点：
　　1. 极低的导通电阻确保更低的传导损耗。
　　2. 快速开关能力减少了开关损耗，适合高频应用。
　　3. 高击穿电压支持更高电压的应用场景。
　　4. 小型封装设计有助于减少整体方案尺寸。
　　5. 支持表面贴装技术 (SMD)，便于自动化生产和焊接。
　　6. 内置 ESD 保护增强了器件的可靠性。

应用

EEETG1H101UP 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的 PFC 和 DC-DC 转换。
　　2. 电动工具和小型电机驱动中的逆变器。
　　3. 无线充电器及快充适配器。
　　4. 光伏微逆变器和储能系统。
　　5. 工业自动化设备中的电源模块。
　　6. 汽车电子中的辅助电源单元。