EEEFT1E220AR 是一款 N 没有极型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,简称 N-FET 或 NMOSFET),主要用于功率开关、负载驱动和电源管理等应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于高效能的电子设备中。
该型号属于现代功率 MOSFET 系列,广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备以及消费类电子产品等领域。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:4.7A
导通电阻:0.5Ω
栅极电荷:35nC
总电容:180pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
EEEFT1E220AR 具备以下主要特性:
1. 高耐压能力:额定漏源电压为 200V,使其非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻:在典型条件下,其导通电阻仅为 0.5Ω,从而减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能:由于其较小的栅极电荷 (35nC),可以实现高速开关操作,降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性:能够在宽广的工作温度范围内保持稳定性能,适用于恶劣环境下的应用。
5. 小封装尺寸:通常采用紧凑型表面贴装技术 (SMD) 封装,节省 PCB 空间,同时便于自动化装配。
6. 高可靠性:通过严格的测试与筛选,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
EEEFT1E220AR 广泛应用于多种领域和场景,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源 (SMPS):作为主开关或同步整流器,提供高效功率转换。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机的速度和方向。
3. 电池管理系统 (BMS):实现电池充放电保护和均衡功能。
4. LED 驱动器:用于大功率 LED 的恒流驱动,保证亮度一致性和稳定性。
5. 汽车电子:如电动窗、座椅调节、雨刮器等系统中的功率控制。
6. 工业自动化:如可编程逻辑控制器 (PLC) 和伺服驱动器中的功率级元件。
IRFZ44N, SI4890DY, FDP5500