时间：2025/12/25 11:03:27
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EDZVT2R4.7B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于EDZV系列。该系列二极管专为高精度电压参考和稳压应用设计，具有低噪声、高稳定性和良好的温度特性。EDZVT2R4.7B的标称齐纳电压为4.7V，在额定测试电流下能够提供稳定的反向击穿电压，适用于需要精确电压钳位或基准电压的电路中。该器件采用小型表面贴装SOD-523封装，体积小巧，适合在空间受限的便携式电子设备中使用，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品。由于其快速响应特性和较高的可靠性，EDZVT2R4.7B也常用于电源管理单元、ADC/DAC参考源、信号调理电路及过压保护电路中。该型号符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其具备较高的环境耐受能力和长期工作稳定性，因此也可应用于车载电子系统中。此外，该器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适应现代电子制造对环境友好材料的需求。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-523
标称齐纳电压(Vz)：4.7V
测试电流(Iz)：5mA
最大齐纳阻抗(Zz)：15Ω
最大功率耗散(Pd)：200mW
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ 150°C
反向漏电流(IR)：0.1μA @ 1V
电压容差：±2%
制造商：ROHM Semiconductor
产品系列：EDZV
EDZVT2R4.7B齐纳二极管具备优异的电气性能与热稳定性，能够在宽温度范围内维持精确的电压输出。其核心特性之一是±2%的高精度电压容差，这使其在作为基准电压源时表现出色，显著优于普通±5%容差的齐纳管，特别适合对电压精度要求较高的模拟电路和数据转换系统。该器件在5mA的标准测试电流下工作，确保了稳定的工作点，并通过低动态阻抗（最大15Ω）有效抑制输出电压波动，提高系统的抗干扰能力。低噪声特性进一步增强了其在敏感模拟前端中的适用性，避免因齐纳管自身噪声影响信号完整性。该器件采用SOD-523超小型封装，尺寸仅为约1.0×0.6×0.5mm，极大节省PCB布局空间，非常适合高密度贴装的现代电子产品。尽管体积小，但其最大功耗仍可达200mW，结合良好的散热设计可在多种负载条件下可靠运行。EDZVT2R4.7B具有极低的反向漏电流，在1V反向电压下仅为0.1μA，这意味着在非击穿状态下几乎不产生静态功耗，有助于提升整体能效，尤其适用于电池供电设备。其宽工作结温范围从-55°C到+150°C，使其能在极端环境下保持性能稳定，满足工业级与汽车级应用需求。此外，该器件通过AEC-Q101认证，证明其在高温高湿、热循环、机械振动等严苛条件下的长期可靠性，可用于发动机控制单元、车载信息娱乐系统等关键部位。生产过程中采用无铅工艺和环保材料，符合RoHS和REACH规范，支持绿色制造理念。整体而言，EDZVT2R4.7B是一款集高精度、小尺寸、低功耗与高可靠性于一体的高性能齐纳二极管，广泛适用于精密电子系统中的电压参考与稳压任务。
广泛应用于便携式电子设备中的电压参考电路、电源稳压模块、ADC/DAC基准源、过压保护电路、信号电平转换以及车载电子系统中的传感器接口电路等场景。
EDZV2R4.7B
