时间：2025/5/8 9:32:51
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EDZVT2R11B 是一款高性能的 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片，主要用于保护电子电路免受静电放电 (ESD)、浪涌和其它瞬态过压事件的影响。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低电容、低泄漏电流和高箝位能力等特点，适用于高速数据线保护场景。
EDZVT2R11B 的工作电压为 12V，能够有效保护各种通信接口，如 USB、HDMI、以太网等。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用环境。
工作电压：12V
峰值脉冲电流：8A
最大反向工作电压：12.8V
击穿电压：13.3V
箝位电压：24.6V
结电容：7pF
漏电流：1μA（最大值，@VRWM）
响应时间：1ps
封装形式：DO-214AC（SMAJ）
EDZVT2R11B 具备以下显著特性：
1. 快速响应时间，可迅速抑制瞬态过压，保护敏感电子设备。
2. 低结电容设计，适合高速数据线路保护。
3. 高度可靠的仍保持稳定工作。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
5. 紧凑型封装，易于集成到小型化设计中。
6. 宽温度范围支持 (-55°C 至 +150°C)，适应多种工作环境。
7. 经过严格的 AEC-Q101 认证，满足汽车级应用需求。
EDZVT2R11B 广泛应用于需要 ESD 和浪涌保护的场景，典型应用包括：
1. 数据通信端口保护，如 USB、HDMI、DisplayPort 和以太网。
2. 汽车电子系统中的信号线保护。
3. 工业控制设备中的接口保护。
4. 移动设备和消费类电子产品中的电源线和信号线防护。
5. 无线通信模块的射频端口保护。
6. 其他需要高可靠性和快速响应保护的场合。
P6KE12CA, SMBJ12A, SMAJ12A
