时间:2025/11/7 19:54:56
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EDZTE6133B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压应用。该器件属于表面贴装型(SOD-523封装),适用于需要小型化设计的高密度印刷电路板(PCB)布局。其标称齐纳电压为3.3V,容差较小,能够在多种电源管理场景中提供稳定的参考电压或过压保护功能。该型号具有低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性,适合在便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制电路中使用。
作为一款高精度、小信号齐纳二极管,EDZTE6133B在制造过程中采用了先进的半导体工艺,确保了器件的一致性和可靠性。它的工作功率通常为100mW左右,能够承受一定的瞬态电流冲击,并保持稳定的电压输出。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅(Pb-free),并具备良好的焊接可靠性和长期工作稳定性。
类型:齐纳二极管
封装形式:SOD-523
标称齐纳电压:3.3 V
齐纳电压容差:±5%
最大耗散功率:100 mW
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
齐纳电流IZ:5 mA
动态阻抗(Zzt):≤90 Ω @ IZ = 5mA
温度系数:+0.045 %/°C
反向漏电流IR:≤1 μA @ VR = 1V
EDZTE6133B具备优异的电压稳定性能,其核心特性之一是低动态阻抗,这使得在负载变化或输入波动的情况下仍能维持较为恒定的输出电压。由于采用高纯度硅材料与精密掺杂技术,该器件在额定电流条件下表现出极小的电压漂移,从而为敏感电路提供可靠的参考基准。其SOD-523封装结构不仅节省空间,还支持自动化贴片生产,提高组装效率。
该齐纳二极管具有良好的温度稳定性,温度系数经过优化设计,在宽温范围内可有效抑制因环境温度变化引起的电压偏移。这一特性使其适用于户外设备、汽车电子等对温漂要求较高的应用场景。同时,EDZTE6133B在低电流下也能实现较理想的稳压效果,最小工作电流可达微安级别,因此特别适合电池供电系统中的节能设计。
器件的电气特性经过严格筛选和测试,保证批次间一致性高,降低客户在产品量产过程中的调试难度。另外,其封装具备较强的机械强度和防潮能力,满足JEDEC标准的回流焊工艺要求,适应现代无铅焊接流程。整体而言,EDZTE6133B在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是中小功率稳压需求的理想选择之一。
广泛应用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑中的电源轨稳压;用于传感器模块的参考电压源;在ADC/DAC电路中作为基准电压元件;适用于各类DC-DC转换器的反馈网络补偿;也可作为ESD保护和过压钳位电路的一部分,提升系统安全性;常见于工业控制板、家用电器控制单元及通信接口电平转换电路中。
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"MMBZ5231B",
"BZT52C3V3",
"SZMM3Z3V3",
"ZMM3V3"
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