EDZTE613.9B 时间：2025/12/25 13:31:36 阅读：20

EDZTE613.9B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），属于表面贴装型小信号齐纳二极管系列。该器件主要用于电压参考、稳压以及电路保护等应用场合，适用于需要精确稳定电压的电子系统中。其封装形式为SOD-523，具有体积小巧、功耗低、响应速度快等特点，适合高密度PCB布局和便携式设备使用。EDZTE613.9B的标称齐纳电压为3.9V，容差范围较小，确保在多种工作条件下提供稳定的参考电压。该产品采用环保材料制造，符合RoHS指令要求，并具备良好的温度稳定性和长期可靠性，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制及电源管理模块等领域。由于其优异的电气性能和紧凑的封装设计，EDZTE613.9B成为现代低功率电子系统中实现精准电压调节的理想选择之一。

参数

类型：齐纳二极管
　　功率：200mW
　　标称齐纳电压：3.9V
　　电压容差：±2%
　　最大齐纳电流：50mA
　　动态电阻：典型值10Ω（在IF=1mA时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/包装：SOD-523
　　极性：单齐纳
　　反向漏电流：≤ 1μA（最大值，在VR=1V时）
　　热阻：Rth(j-a) ≈ 500°C/W

特性

EDZTE613.9B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内维持精确的参考电压输出。其标称齐纳电压为3.9V，在额定电流下表现出极小的电压波动，确保电路中的电压基准高度可靠。该器件的电压容差仅为±2%，显著优于普通齐纳二极管，有助于提升系统的整体精度，特别适用于对电压稳定性要求较高的模拟信号处理、ADC/DAC参考源或电源监控电路。
　　该齐纳二极管采用先进的半导体工艺制造，具有低动态阻抗特性，典型值为10Ω（测试条件IF=1mA），这使得其在负载变化时仍能保持输出电压的稳定，有效抑制纹波和噪声。此外，其反向漏电流极低，在VR=1V时不超过1μA，确保在微功耗应用中不会引入额外的静态损耗，适合电池供电设备使用。
　　SOD-523封装使EDZTE613.9B拥有极小的占板面积和轻薄外形，非常适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等空间受限的应用场景。其热阻约为500°C/W，需注意散热设计以确保长期工作的可靠性。器件的工作结温范围可达-55°C至+150°C，展现出卓越的环境适应能力，可在高温工业环境或低温户外设备中稳定运行。
　　ROHM对该系列产品实施严格的质量控制，符合AEC-Q101标准的部分认证要求，具备高可靠性和长寿命。同时，产品无铅且符合RoHS与Halogen-free规范，满足现代绿色电子产品的环保需求。