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EDZTE6113B 发布时间 时间:2025/3/20 10:35:29 查看 阅读:22

EDZTE6113B 是一款高性能、低功耗的 CMOS 静电保护 (ESD) 器件,主要用于保护高速数据接口免受静电放电和其他瞬态电压的影响。该器件采用了先进的工艺技术,具有超低的电容特性,从而确保信号完整性并支持高速数据传输应用。
  EDZTE6113B 设计用于满足现代消费电子和通信设备的需求,能够承受高达±20kV(空气放电)和±10kV(接触放电)的 IEC 61000-4-2 标准测试。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。

参数

工作电压:2.8V 至 5.5V
  电容值:典型值为 0.5pF
  最大箝位电压:11V(典型值)
  响应时间:小于等于 1ns
  结电容:0.3pF(典型值)
  漏电流:小于等于 1μA(在 5V 下)
  封装形式:DFN1006-2 或 0402 封装

特性

1. 超低电容设计,确保对高速数据传输无干扰。
  2. 支持多种工业标准的 ESD 保护要求,包括 IEC 61000-4-2 和 HBM。
  3. 小型化封装,适合便携式和高密度 PCB 设计。
  4. 稳定的工作性能,在极端温度范围内表现可靠(-55°C 至 +150°C)。
  5. 具备双向保护功能,简化电路设计和布局。
  6. 提供出色的过电压保护能力,同时保持低动态电阻特性。
  总体而言,EDZTE6113B 在高速数据接口保护领域表现出色,特别适用于 USB、HDMI、以太网以及其他需要严格信号完整性的应用场景。

应用

1. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和数码相机。
  2. 工业控制设备中的通信接口保护,例如 RS-232 和 RS-485 接口。
  3. 高速数据传输系统,如 HDMI、DisplayPort 和 USB 3.0/3.1。
  4. 汽车电子系统的敏感模块保护,例如 CAN 总线或 LIN 总线。
  5. 医疗设备的数据接口保护,确保关键信号的稳定性和安全性。
  总之,任何需要对高速数据线路进行可靠静电防护的应用场景都可以考虑使用 EDZTE6113B。

替代型号

1. PESD5V0H1BA1 - 类似的 ESD 保护器件,提供相同的电压范围和电容值。
  2. SP1014 - 一种常用的低电容 ESD 保护二极管阵列,适用于多种高速接口。
  3. SMAJ5.0A - 若需要更高的浪涌电流保护能力,可选择此 TVS 二极管。
  4. TPD4E05U06 - TI 公司推出的低电容 ESD 保护器件,适用于 USB 2.0 和其他低速接口。
  选择替代型号时,请务必仔细核对其电气特性和封装形式是否与原始设计兼容。

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EDZTE6113B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)13V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 10V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)37 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装EMD2
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称EDZTE6113BDKR