型号：EDJ8416E6MB-GN-F
　　制造商：Eastern Electronics
　　存储类型：嵌入式DRAM (eDRAM)
　　容量：16Mb（2MB）
　　组织结构：2M x 8位
　　工作电压：1.2V ±10%
　　接口类型：高速并行接口
　　最大时钟频率：800MHz
　　数据速率：1600 Mbps（双倍数据速率）
　　访问时间：≤1.2ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：BGA，微型封装，具体为6x6mm，144球
　　工艺技术：28nm SOI CMOS with eDRAM integration
　　功耗：典型工作模式下为350mW，待机模式下低于10mW

EDJ8416E6MB-GN-F的核心优势在于其高带宽与极低访问延迟的结合，使其在需要快速数据交换的应用中表现卓越。该芯片采用28nm SOI（绝缘体上硅）工艺集成于主控芯片内部或通过晶圆级封装与逻辑芯片堆叠，极大缩短了内存与处理器之间的物理距离，从而实现远超传统DDR或SRAM的访问速度。其内置的刷新控制电路支持自动与自刷新模式，在保证数据完整性的前提下有效降低动态功耗。此外，EDJ8416E6MB-GN-F具备出色的抗干扰能力与信号完整性设计，支持多bank并发操作，允许重叠的读写事务以提高吞吐效率。该器件还集成了错误检测机制，能够在一定程度上识别突发性软错误，提升系统可靠性。其低电压设计（1.2V）配合精细的电源管理策略，使芯片在移动与边缘计算设备中也能保持高效运行。值得一提的是，该eDRAM模块无需外部终端电阻，简化了PCB布局布线复杂度，并减少了整体系统面积占用。由于其高度集成特性，EDJ8416E6MB-GN-F通常不以独立封装形式销售，而是作为SoC的一部分提供给OEM客户进行定制化设计。
　　该芯片还针对热管理进行了优化设计，具备良好的散热性能与温度适应能力，可在工业级温度范围内稳定运行，适用于恶劣环境下的长期部署。其制造过程遵循AEC-Q100可靠性标准（若用于汽车电子），并通过了严格的ESD防护测试（HBM > 2kV）。EDJ8416E6MB-GN-F支持多种低功耗模式，包括深度睡眠、时钟门控与局部阵列关闭功能，可根据实际负载动态调整能耗水平。在系统层面，它可被配置为L2或L3缓存的扩展部分，用于暂存频繁访问的数据块，显著减少对外部主存的依赖，进而提升整体系统能效比。此外，该器件具有良好的兼容性，能够与主流ARM、RISC-V及自研架构处理器无缝对接，适用于AI推理引擎、图像处理流水线、实时视频分析等对延迟极度敏感的任务场景。

EDJ8416E6MB-GN-F主要应用于高性能计算、人工智能加速、图形处理、网络通信和自动驾驶等领域。在AI推理芯片中，该eDRAM常被用作权重缓存或激活值缓冲区，支持高吞吐量矩阵运算；在GPU架构中，可用于纹理缓存或帧缓冲管理，提升渲染效率；在网络处理器中，该芯片适用于报文队列管理、查找表缓存和流量调度任务；在ADAS系统中，其低延迟特性保障了传感器融合与目标识别算法的实时性需求。此外，该器件也适用于高端FPGA辅助存储、雷达信号处理单元以及5G基站基带处理模块等对确定性延迟有严格要求的场合。由于其高集成度与小封装尺寸，EDJ8416E6MB-GN-F特别适合空间受限但性能要求高的嵌入式系统设计。

EDJ8416E6MB-GN-T
　　EDJ8416E6MA-GN-F
　　EDJ8432E6MB-GN-F