型号：EDF8164A3MA-GD-F-R
　　制造商：Renesas Electronics
　　存储容量：8 Kbit (1024 x 8)
　　组织结构：1024 字节
　　接口类型：I2C，支持最高3.4 MHz高速模式
　　工作电压范围：1.7 V 至 5.5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-MiniSOIC (MSOP)
　　写入周期寿命：1,000,000 次
　　数据保持时间：100 年
　　写保护功能：硬件写保护引脚（WP）
　　器件地址配置：通过A0、A1、A2引脚设置，支持最多8个设备挂载在同一总线上
　　待机电流：最大1 μA
　　工作电流：写操作时典型值3 mA，读操作时典型值250 μA
　　自定时写入周期：典型5 ms
　　可靠性：高抗干扰设计，符合AEC-Q100标准（部分等级）
　　无铅/符合RoHS：是

EDF8164A3MA-GD-F-R具备多项先进的技术特性，确保其在复杂环境下的稳定性和可靠性。
　　首先，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其在待机状态下电流消耗极低，仅为1μA左右，非常适合用于便携式设备或长期运行的物联网终端。其宽电压工作范围（1.7V~5.5V）使得它能够兼容3.3V和5V逻辑系统，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。同时，该器件支持I2C总线的多种速度模式，包括标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高速模式（最高3.4MHz），满足高速数据交换需求，提升系统响应速度。
　　其次，EDF8164A3MA-GD-F-R集成了片上纠错机制和写入状态检测功能，增强了数据完整性保障。每次写入操作后会自动进行内部校验，确保数据正确写入。此外，其具备长达100年的数据保持能力，在断电情况下仍可长期保存重要信息，适用于需要长期存储配置或日志数据的应用场景。
　　再者，该器件提供硬件写保护引脚（WP），当该引脚接地时允许写入；接高电平时则锁定整个存储区域，防止意外修改。这一功能在关键系统中尤为重要，例如工业控制系统中的参数锁定或医疗设备中的固件配置保护。
　　最后，该芯片支持多达8个相同地址的器件通过地址引脚（A0-A2）进行并联扩展，便于构建多节点系统中的分布式存储架构。所有引脚均具备静电放电（ESD）防护能力，提高了生产装配和现场使用的安全性。整体设计符合绿色环保标准，无铅且通过RoHS认证，适应全球环保法规要求。

EDF8164A3MA-GD-F-R因其高可靠性、低功耗和小尺寸封装，被广泛应用于多个领域。
　　在工业自动化领域，常用于PLC模块、传感器节点和远程IO单元中，用于存储设备序列号、校准系数、运行参数等关键信息。由于其宽温范围和抗干扰能力强，可在恶劣工业环境中长期稳定运行。
　　在消费类电子产品中，如智能家电、可穿戴设备、智能家居网关等，该芯片用于保存用户偏好设置、设备配置信息或固件版本号，支持系统上电初始化时快速加载配置。
　　在汽车电子方面，尽管未明确标注为AEC-Q100 Grade 1，但其部分版本可用于车身控制模块（BCM）、车载仪表盘、车载音频系统等非动力总成系统中，实现车辆配置信息、座椅记忆设置或灯光模式的持久化存储。
　　通信设备中，如路由器、交换机、光模块等，EDF8164A3MA-GD-F-R可用于存储MAC地址、设备标识符或调试日志，支持热插拔场景下的安全数据读写。
　　此外，在医疗监测设备如血糖仪、血压计、便携式监护仪中，该芯片用于记录患者使用历史、设备校准数据和时间戳信息，满足医疗设备对数据完整性和长期保存的要求。
　　其小型MSOP封装也使其成为空间受限应用的理想选择，例如微型传感器模块、RFID读写器、智能卡终端等。结合I2C接口的简洁布线优势，可大幅减少PCB走线复杂度，提高系统集成度。

M95M01-RMN6TP
　　AT24C08D-XHM-T
　　CAT24C08WI-GT3
　　FM24C04A-GTR