时间：2025/9/2 13:17:19
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EDD5116AFBG-6B-E 是一款由 IDT（Integrated Device Technology，现为 Renesas 的一部分）生产的 DDR SDRAM 控制器芯片。该芯片专为高性能嵌入式系统和网络设备设计，能够提供对 DDR SDRAM 内存的高效访问控制。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，具备低功耗、高可靠性和高集成度的特点，适用于需要高速内存管理的复杂系统。
型号：EDD5116AFBG-6B-E
类型：DDR SDRAM 控制器
封装：FBGA
引脚数：165
工作温度：-40°C 至 +85°C
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大时钟频率：166MHz
内存类型支持：DDR SDRAM
数据宽度：16 位
接口类型：并行接口
控制器功能：内存地址生成、时序控制、刷新控制
存储器寻址能力：支持高达 256MB 内存空间
封装尺寸：10mm x 14mm
符合 RoHS 标准：是
EDD5116AFBG-6B-E 是一款功能强大的 DDR SDRAM 控制器，具备多项优异特性。其核心功能包括高效的地址生成、精确的时序控制以及自动刷新机制，能够显著减轻主处理器的内存管理负担。该芯片支持高达 166MHz 的时钟频率，确保系统在高速运行时仍能保持稳定的数据传输能力。其内置的 DDR SDRAM 接口支持标准的突发模式、自刷新和预充电操作，兼容多种 DDR SDRAM 模块。
该器件采用低功耗 CMOS 技术设计，适用于工业级宽温范围（-40°C 至 +85°C），能够在严苛的环境条件下稳定工作。其 FBGA 封装形式不仅减小了占用空间，还提升了散热性能，适合用于紧凑型嵌入式系统和网络设备。
此外，EDD5116AFBG-6B-E 还具备灵活的配置能力，可通过外部引脚或寄存器设置不同的操作模式，以适应不同的系统需求。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、视频处理和存储系统等领域，是一款可靠性高、性能稳定的内存控制器解决方案。
EDD5116AFBG-6B-E 广泛应用于需要高效内存管理的嵌入式系统和高性能设备中。典型应用包括路由器、交换机、通信模块、工业控制系统、视频采集与处理设备、嵌入式存储控制器以及需要高速 DDR SDRAM 访问的嵌入式处理器系统。其低功耗特性和工业级温度范围使其适用于恶劣环境下的长期稳定运行。
EDD5116AFBG-6B-E 可以考虑的替代型号包括 EDD5116AFBG-6A-E、IDT71V1214SA、以及 Renesas 其他系列的 DDR SDRAM 控制器芯片。
