型号：EDB8164B4PR-1D-F-R
　　类型：SDR SDRAM
　　容量：256Mb (4M x 16bit x 4 Banks)
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装：54-pin TSOP-II
　　数据宽度：16位
　　速度等级：143MHz / 7ns
　　访问时间：7ns
　　刷新周期：64ms / 8192行
　　数据保持电压：≥ 2.0V
　　输入电平：LVTTL
　　突发长度：1, 2, 4, 8
　　突发类型：顺序或交错
　　时钟频率：最大143MHz
　　自刷新模式：支持
　　低功耗模式：支持
　　CAS等待时间：CL=2, CL=3

EDB8164B4PR-1D-F-R具备典型的同步动态随机存取存储器特性，其核心优势在于高可靠性和良好的系统兼容性。该芯片采用同步架构设计，所有操作均以系统时钟为基准，在时钟上升沿触发地址和控制信号的采样，从而实现与处理器或其他主控设备的高效协同工作。这种同步机制显著提升了数据传输的确定性，减少了时序冲突，特别适合多任务并行处理的应用场景。
　　该器件支持多种突发读写模式，包括突发长度为1、2、4、8的配置，并可选择顺序或交错两种突发类型，用户可根据具体应用需求灵活配置，优化内存带宽利用率。此外，EDB8164B4PR-1D-F-R内置四组独立存储体（Bank），通过Bank交替访问机制，有效隐藏行激活与预充电延迟，提升连续访问效率，减少等待时间，从而提高整体性能表现。
　　在功耗管理方面，该芯片支持多种低功耗操作模式，包括空闲模式、预充电待机模式、自刷新模式和掉电模式。其中，自刷新功能允许芯片在外部时钟停止的情况下，依靠内部计时器自动完成刷新操作，确保数据不丢失的同时大幅降低功耗，非常适合电池供电或待机状态下的节能需求。
　　EDB8164B4PR-1D-F-R还具备优良的电气特性和抗干扰能力，输入输出接口符合LVTTL标准，兼容性强，便于与多种控制器和FPGA等器件直接连接而无需电平转换。其TSOP-II封装不仅体积小巧，还具有良好的散热性能和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产流程。此外，该芯片经过严格的老化测试和环境验证，具备出色的长期稳定性与耐久性，适合工业级和消费级双重应用场景。

EDB8164B4PR-1D-F-R因其稳定的性能和适中的容量，广泛应用于多种嵌入式与消费类电子产品中。在家庭娱乐设备领域，它常见于数字机顶盒、DVD播放器、智能电视和网络媒体盒子中，用于缓存视频解码数据、图形界面信息及系统运行临时变量，保障流畅的用户体验。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机、IP摄像头和网络附加存储（NAS）设备，该芯片作为主控处理器的辅助存储单元，承担数据包缓冲、路由表缓存和协议处理中间数据的存储任务，有助于提升网络吞吐能力和响应速度。
　　在办公自动化设备方面，打印机、扫描仪和多功能一体机也普遍采用此类SDRAM芯片，用于图像数据的暂存与页面渲染处理，尤其在高分辨率打印任务中发挥重要作用。
　　工业控制领域同样大量使用EDB8164B4PR-1D-F-R，例如PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和数据采集终端等设备，利用其工业级温度范围和高可靠性，确保在复杂电磁环境和极端温湿度条件下持续稳定运行。
　　此外，该芯片还可用于汽车电子系统（如车载信息娱乐系统）、医疗监测设备、安防监控主机以及各类基于ARM、DSP或FPGA平台的开发板中，作为通用型内存扩展方案。由于其成熟的技术路线和广泛的供应链支持，EDB8164B4PR-1D-F-R成为许多中低端系统设计中的首选DRAM解决方案。

IS42S16400F-7BLI4