时间：2025/12/27 4:50:45
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EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的功率MOSFET模块，主要用于高效率电源转换和电机驱动应用。该器件属于 OptiMOS? 系列产品，采用先进的沟槽型场效应晶体管技术，针对低电压、大电流应用场景进行了优化。其封装形式为 PG-HSOF-8，具有较小的尺寸和良好的热性能，适用于空间受限但对散热有较高要求的设计场景。该型号为卷带包装（Tape and Reel, TR），适合自动化贴片生产流程，广泛应用于服务器电源、通信电源、DC-DC变换器以及电池管理系统等高端电子设备中。
作为一款N沟道增强型MOSFET，EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR 在导通电阻（RDS(on)）方面表现出色，在低栅极驱动电压下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。其设计符合 RoHS 指令要求，并具备优良的抗湿性和可靠性，能够在严苛的工作环境中稳定运行。此外，该器件集成了快速体二极管，有助于在开关过程中抑制反向电流冲击，提高电路稳定性。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：210A
脉冲漏极电流（IDM）：600A
导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10V：1.3mΩ
导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：1.7mΩ
阈值电压（Vth）：典型值 2.0V
输入电容（Ciss）：典型值 13000pF
输出电容（Coss）：典型值 2900pF
反向恢复时间（trr）：典型值 25ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PG-HSOF-8
安装类型：表面贴装（SMD）
峰值回流温度：300°C
热阻 RθJC：0.25 K/W
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR 采用了英飞凌先进的 OptiMOS? 沟道技术，专为高频、高效率的电源转换系统设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在40V耐压等级下实现了1.3mΩ（@10V VGS）的超低RDS(on)，显著降低了大电流条件下的导通损耗，提升了整体能效表现。这对于诸如VRM（电压调节模块）、POL（点负载）转换器等对功耗敏感的应用至关重要。同时，该器件在低栅极驱动电压（如4.5V）下依然能够保持优异的导通性能（RDS(on) ≤ 1.7mΩ），兼容现代控制器的逻辑电平输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
该MOSFET具备出色的开关特性，输入电容和输出电容经过优化，使得其在高频开关操作中具有更低的驱动损耗和更快的响应速度。结合较短的反向恢复时间（trr ≈ 25ns），有效减少了体二极管在续流过程中的能量损耗和电压尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险，提高了系统的可靠性和稳定性。器件采用PG-HSOF-8封装，具有极低的热阻（RθJC = 0.25 K/W），能够高效地将内部热量传导至PCB，避免局部过热导致的性能下降或失效。这种封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化大规模生产。
在可靠性方面，EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR 经过严格的质量控制和测试流程，支持宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），可在极端环境条件下稳定运行。其栅氧化层设计可承受±20V的栅源电压，增强了对电压瞬变的容忍能力。此外，该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其具备高可靠性和长寿命，不仅适用于工业和通信领域，也可用于车载电源系统等对安全性要求较高的场合。
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR 广泛应用于需要高效、高密度电源解决方案的各类电子系统中。典型应用包括服务器和数据中心的电压调节模块（VRM），其中多个此类MOSFET并联使用以提供数百安培的负载电流，满足高性能CPU和GPU的供电需求。在通信基础设施中，该器件常用于48V转12V或12V转1V的中间母线转换器（Intermediate Bus Converter）和非隔离式DC-DC降压变换器，实现高效率的能量传输。
此外，该器件也适用于工业电源、UPS（不间断电源）、电动工具、电池管理系统（BMS）以及电动汽车车载充电机（OBC）中的辅助电源部分。在这些应用中，其低导通电阻和优良的热管理能力有助于减小散热器体积，提升功率密度。由于其优异的动态性能，还可用于同步整流电路，替代传统肖特基二极管，进一步降低整流损耗，提高转换效率。
BSC060N04LS G?| BSC080N04LS G?| IPP042N04LG
