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EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR 发布时间 时间:2025/12/27 4:46:33 查看 阅读:18

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)推出的高效、高集成度的直流-直流降压转换器(Buck Converter),广泛应用于需要稳定低压电源供电的便携式设备和嵌入式系统中。该器件采用紧凑型封装设计,具备出色的热性能和电气特性,能够在宽输入电压范围内提供精确调节的输出电压。其内部集成了功率MOSFET、PWM控制电路、反馈环路补偿以及多种保护机制,显著减少了外部元件数量,简化了电源设计流程。该芯片支持可调输出电压模式或固定输出电压配置,适用于对空间和能效有严格要求的应用场景。凭借其高开关频率特性,可以搭配小型电感和陶瓷电容实现低噪声、低纹波的电源解决方案。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q100汽车级可靠性认证,适合在工业控制、消费电子及车载电子系统中使用。

参数

型号:EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
  制造商:ROHM Semiconductor
  产品类型:DC-DC降压转换器
  输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 3.6V(可调)
  最大输出电流:1.2A
  开关频率:3MHz 典型值
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  静态电流:约30μA(关断模式下低于1μA)
  控制方式:电流模式PWM控制
  反馈参考电压:0.6V ±1%
  封装类型:DFN1212(FC)-6L
  安装类型:表面贴装
  导通电阻(上管/下管):约180mΩ / 100mΩ
  关断电流:<0.1μA
  负载调整率:±2%
  线路调整率:±1.5%

特性

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR具备优异的动态响应能力和稳定性,这得益于其采用的电流模式控制架构。该架构不仅提升了对输入电压波动和负载变化的响应速度,还增强了环路稳定性,使得在轻载至满载的整个负载范围内都能保持良好的输出精度。芯片内置的软启动功能可有效抑制启动过程中的浪涌电流,防止输入电源受到冲击,同时避免输出电压过冲现象。此外,该器件支持高达3MHz的开关频率,允许使用小尺寸的外部电感(如1.0μH~2.2μH)和陶瓷输出电容,从而大幅缩小整体电源模块的占板面积,满足现代电子产品对微型化的需求。
  为了确保系统的长期可靠运行,EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR集成了多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO)。当检测到异常工作条件时,芯片会自动进入保护状态并切断输出,待故障解除后恢复正常操作。这种自恢复式保护设计提高了系统安全性,尤其适用于无人值守或难以维护的设备。其低静态电流特性使其非常适合电池供电设备,在待机或休眠模式下仍能维持极低功耗,延长电池使用寿命。
  该芯片采用DFN1212(FC)-6L封装,底部带有散热焊盘,能够有效传导内部产生的热量,提升散热效率。配合合理的PCB布局设计(如增加接地铜箔面积),可在不使用额外散热器的情况下处理较大的功率损耗。此外,器件具有良好的电磁兼容性(EMC)表现,经过优化的引脚排列和内部布局降低了高频噪声辐射,有助于通过EMI认证测试。整体而言,EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR是一款高性能、高可靠性的同步整流降压转换器,适用于对体积、效率和稳定性均有较高要求的电源管理应用。

应用

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR适用于多种低电压、小电流的电源转换场景。常见应用包括便携式消费类电子产品,如智能手环、TWS耳机、可穿戴设备和移动支付终端,这些设备通常依赖单节锂电池供电(3.0V~4.2V),需要将电池电压高效地降至处理器、传感器或无线模块所需的工作电压(如1.8V、3.3V等)。由于其高集成度和小封装特性,非常适合用于空间受限的主板设计。
  在工业自动化领域,该芯片可用于为微控制器单元(MCU)、FPGA内核或I/O接口供电,尤其是在需要多路电源轨的小型PLC或数据采集模块中。其宽温工作能力确保在恶劣环境下仍能稳定运行。在通信设备中,可用于为Wi-Fi模组、蓝牙芯片或RF收发器提供干净稳定的电源,减少噪声干扰,提高信号完整性。
  此外,该器件也适用于医疗电子设备,例如便携式血糖仪、体温计和健康监测设备,因其低噪声输出和高可靠性能够保障敏感模拟电路的正常工作。在智能家居设备中,如智能门锁、传感器节点和IoT网关中,该芯片凭借其低静态功耗优势,有助于延长设备待机时间。总之,凡是需要从较高电压源获得稳定低压输出且注重效率与尺寸的应用,均可考虑采用EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR作为核心电源解决方案。

替代型号

BD3516GUL-E2
  XC9236B15MR-G

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EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-VFBGA
  • 供应商器件封装134-VFBGA(10x11.5)