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ED1802N 发布时间 时间:2025/12/27 22:05:12 查看 阅读:13

ED1802N是一款由东芝(Toshiba)公司生产的光耦合器(光电耦合器),属于高性能、高可靠性的半导体器件,广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件内部集成了一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管和一个集成光电探测器,能够实现输入与输出之间的电气隔离,同时传递电信号。ED1802N采用DIP-8封装形式,具有良好的绝缘性能和抗干扰能力,适用于工业控制、电源管理、通信设备以及各种需要信号隔离的场合。
  该光耦合器的设计符合多项国际安全标准,包括UL、CSA和VDE认证,确保在高压环境下稳定运行。其高隔离电压特性使其能够在不同电位的电路之间安全传输信号,有效防止噪声干扰和电压浪涌对敏感电路的影响。此外,ED1802N具备较快的响应速度,适合用于数字信号传输和开关电源中的反馈控制环路。由于其优异的温度稳定性和长期可靠性,该器件常被用于要求严苛的工业和自动化系统中。

参数

型号:ED1802N
  封装类型:DIP-8
  通道数:1通道
  输入正向电流(IF):50mA
  输入反向电压(VR):5V
  输出耐压(VCEO):50V
  隔离电压(Viso):5000VRMS
  工作温度范围:-55℃ ~ +110℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +125℃
  最大功耗(Pd):200mW
  电流传输比(CTR):50% ~ 600%
  上升时间(tr):3μs
  下降时间(tf):3μs
  绝缘电阻:≥10^11Ω
  输入LED波长:940nm

特性

ED1802N光耦合器具备出色的电气隔离性能,其内部结构采用先进的光刻工艺制造,确保了高度一致的光电转换效率和稳定性。该器件的输入端为一个高效的GaAs红外LED,在正向电流驱动下发射特定波长的光信号,此光信号被输出端的硅基光电晶体管接收并转换为相应的电流输出。这种设计实现了输入与输出之间的完全电气隔离,避免了地环路干扰和高压窜入风险,提升了系统的安全性与可靠性。
  该器件的电流传输比(CTR)范围宽广,典型值在50%至600%之间,这意味着即使在较低的输入电流下也能获得足够的输出电流,适用于多种驱动条件下的应用。CTR的高稳定性保证了在长时间运行或温度变化较大的环境中仍能保持良好的信号传输性能。此外,ED1802N具有较低的暗电流(通常小于100nA),这有助于提高信噪比,减少误触发的可能性,特别适合用于精密检测和高速开关电路中。
  ED1802N采用DIP-8封装,引脚间距符合标准IC布局,便于手工焊接和自动化贴装。其封装材料具有优异的耐热性和耐湿性,通过了严格的环境测试,如高温高湿储存试验和温度循环测试,确保在恶劣工业环境下的长期可靠运行。该器件还具备较强的抗电磁干扰(EMI)能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
  值得一提的是,ED1802N支持较宽的工作温度范围(-55℃ ~ +110℃),使其不仅适用于常规商业环境,也适用于极端温度条件下的工业和汽车电子系统。其快速的响应时间(上升/下降时间均为3μs)使得它可用于中高速信号隔离场景,例如开关电源的PWM反馈控制、PLC输入模块、逆变器驱动电路等。整体而言,ED1802N是一款综合性能优越、适用范围广泛的通用型光耦合器。

应用

ED1802N广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源(SMPS)中,常用于反馈回路中实现初级侧与次级侧之间的隔离,以调节输出电压并提升系统安全性。在工业自动化领域,该器件可用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字输入模块,将现场传感器信号与控制系统隔离,防止外部高压或噪声影响核心处理器。
  在交流伺服驱动器、变频器和UPS不间断电源等电力电子设备中,ED1802N可用于门极驱动信号隔离或状态反馈信号传输,保障主控单元免受功率侧高压冲击。此外,在通信接口电路中,如RS-485或CAN总线隔离方案中,也可使用该类光耦进行电平转换与噪声抑制。
  在医疗电子设备中,由于对电气安全要求极高,ED1802N可用于患者连接设备的信号隔离部分,满足IEC 60601等医疗安全标准。同时,在智能家居、楼宇自动化和智能电表等领域,该器件也被用于微控制器与执行机构之间的隔离驱动,提升系统的抗干扰能力和运行稳定性。

替代型号

TLP781,TLP290-4,PC817X}

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