时间：2025/7/8 19:51:22
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ED162NC7C 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
该MOSFET采用TO-220封装形式，具有较高的耐用性和散热性能，适用于多种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：50A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：125W
结温范围：-55℃ to +175℃
ED162NC7C具备低导通电阻的特点，这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。
其大电流承载能力使得该MOSFET能够在需要高电流输出的应用中表现出色，例如直流电机驱动或负载切换。
此外，它还具有快速开关速度，可支持高频操作环境，同时内置的雪崩能量保护机制增强了其在异常工作条件下的可靠性。
ED162NC7C采用了TO-220封装，这种封装形式不仅便于安装，还提供了良好的热传导性能，确保长时间稳定运行。
ED162NC7C广泛用于各种需要高效能功率控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换元件；
2. 直流电机驱动电路中的功率开关；
3. 负载开关以实现对不同负载的精确控制；
4. 过流保护电路中的关键组件；
5. 工业自动化设备中的功率调节模块；
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
IRFZ44N
STP55NF06L
DMN2020UFDC
