ECVAS321642C90600NBT 是一款基于硅技术的高性能功率 MOSFET,广泛应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,可有效降低系统能耗并提升整体性能。
此型号为 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型(如 D2PAK 或 TO-263),能够满足紧凑设计需求。此外,它还具备出色的热稳定性和耐用性,适用于严苛的工作环境。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:16A
导通电阻(典型值):90mΩ
栅极电荷:42nC
开关速度:超快恢复
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高能效。
2. 快速开关能力,支持高频应用,例如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 具备优化的栅极驱动设计,便于与各类控制器兼容。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 热阻较低,有利于散热管理,延长使用寿命。
该芯片适用于多种工业及消费类电子产品中的功率转换场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电动工具的电机驱动
3. 太阳能微型逆变器
4. LED 驱动器
5. 不间断电源(UPS)
6. 工业自动化设备中的负载切换
由于其高电压和大电流承载能力,也特别适合于需要高效能源管理的场合。
FDP18N60C
IRFB4110TRPBF
STP16NF60